品牌:
产品图片
规格型号
品牌
参数描述
起订量
库存
购买数量
单价
操作
产品说明:通孔 N 通道 60 V 150A(Tc) 349W(Tc) TO-220AB
封装:TO-220-3产品说明:表面贴装型 N 通道 30 V 120A(Tc) 401W(Tc) D2PAK
封装:D2PAK产品说明:表面贴装型 N 通道 25 V 380A(Ta) 333W(Ta) LFPAK56; Power-SO8
封装:LFPAK56产品说明:表面贴装型 N 通道 50 V 410A(Ta) 375W(Ta) LFPAK88(SOT1235)
封装:LFPAK88产品说明:表面贴装型 N 通道 80 V 170A(Ta) 294W(Ta) LFPAK56,Power-SO8
封装:LFPAK56产品说明:表面贴装型 N 通道 55 V 330A(Ta) 375W(Ta) LFPAK88(SOT1235)
封装:LFPAK88产品说明:通孔 N 通道 650 V 34.5A(Ta) 143W(Ta) TO-247-3
封装:TO-247-3产品说明:通孔 N 通道 650 V 47.2A 187W TO-247-3
封装:TO-247-3产品说明:能量收集 PMIC 16-HWQFN(3x3)
封装:HWQFN-16产品说明:650 V、140 mOhm 氮化镓 (GaN) FET,采用 DFN 8 mm x 8 mm 封装
封装:DFN8080-8产品说明:650 V、190 mOhm 氮化镓 (GaN) FET,采用 5 mm x 6 mm DFN 封装
封装:DFN5060-5产品说明:650 V、140 mOhm 氮化镓 (GaN) FET,采用 5 mm x 6 mm DFN 封装
封装:DFN5060-5产品说明:150 V、7 mOhm 氮化镓 (GaN) FET,采用 2.2 mm x 3.2 mm x 0.774 mm 陆栅阵列 (LGA) 封装
封装:FCLGA-3产品说明:650 V、190 mOhm 氮化镓 (GaN) FET,采用 DFN 8 mm x 8 mm 封装
封装:DFN8080-8产品说明:650 V、80 mOhm 氮化镓 (GaN) FET,采用 DFN 8 mm x 8 mm 封装
封装:DFN8080-8产品说明:100 V、3.2 mOhm 氮化镓 (GaN) FET,采用 3.5 mm x 2.13 mm 晶圆级芯片尺寸封装 (WLCSP)
封装:WLCSP-8电话咨询:86-755-83294757
企业QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
服务时间:9:00-18:00
联系邮箱:chen13410018555@163.com/sales@hkmjd.com
公司地址:广东省深圳市福田区振中路新亚洲国利大厦1239-1241室
CopyRight©2022 版权归明佳达电子公司所有 粤ICP备05062024号-12
官方二维码
友情链接: