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东芝 π-MOS VIII MOSFET 是基于东芝第八代平面半导体工艺的 10V 栅极驱动、单 N 沟道器件，该工艺结合了高水平的单元集成和优化的单元设计。与前几代产品相比，该技术降低了栅极电荷和电容，同时又不失低 RDS(ON) 的优势。这些 MOSFET 的额定电压为 800V 和 900V，主要针对 LED 照明中的反激式转换器、辅助电源和其他需要低于 5.0A 电流开关的电路等应用。这些器件采用标准 TO-220 通孔外形尺寸和表面贴装 DPAK 封装。

TK10A80E 产品属性

FET 类型： N 通道  

技术： MOSFET（金属氧化物）  

漏源电压（Vdss）： 800 V  

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) ：10A（Ta）  

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V  

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1 欧姆 @ 5A，10V  

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V @ 1mA  

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 46 nC @ 10 V  

Vgs（最大值）： ±30V  

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2000 pF @ 25 V  

FET 功能： -  

功率耗散（最大值）： 50W（Tc）  

工作温度： 150°C（TJ）  

安装类型： 通孔  

供应商器件封装：TO-220SIS  

封装/外壳： TO-220-3 整包

应用

开关稳压器

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