商品名称:MT47H128M16RT-25E:C
品牌:Micron
年份:23+
封装:84-FBGA
货期:全新原装
库存数量:2000 件
MT47H128M16RT-25E:C 采用双倍数据速率架构来实现高速运行。双数据速率架构本质上是一种 4n 预取架构,其接口设计用于在 I/O 球上每个时钟周期传输两个数据字。
特点
符合工业和汽车温度标准
VDD = 1.8V ±0.1V, VDDQ = 1.8V ±0.1V
JEDEC 标准 1.8V I/O(兼容 SSTL_18)
差分数据选通(DQS、DQS#)选项
4n 位预取架构
x8 的重复输出选通 (RDQS) 选项
DLL 使 DQ 和 DQS 转换与 CK 一致
8 个并行操作内部库
可编程 CAS 延迟 (CL)
已发布 CAS 加法延迟 (AL)
写入延迟 = 读取延迟 - 1 tCK
可编程突发长度 (BL):4 或 8
可调数据输出驱动强度
32 毫秒、8192 周期刷新
片上终端 (ODT)
符合 RoHS 规范
支持 JEDEC 时钟抖动规范
AEC-Q100
提交 PPAP
8D 响应时间
型号
品牌
封装
数量
描述
Winbond
200-WFBGA
1000
SDRAM - Mobile LPDDR4 存储器 IC 2Gb LVSTL_11 1.866 GHz 3.5 ns 200-WFBGA(10x14.5)
Winbond
200-WFBGA
1000
SDRAM - 移动 LPDDR4X 存储器 IC 2Gb LVSTL_11 1.6 GHz 3.5 ns 200-WFBGA(10x14.5)
Winbond
200-WFBGA
1000
SDRAM - 移动 LPDDR4X 存储器 IC 4Gb LVSTL_11 2.133 GHz 3.5 ns 200-WFBGA(10x14.5)
Winbond
200-WFBGA
1000
SDRAM - Mobile LPDDR4 存储器 IC 4Gb LVSTL_11 2.133 GHz 200-WFBGA(10x14.5)
Winbond
178-VFBGA
1000
SDRAM - Mobile LPDDR3 存储器 IC 1Gb HSUL_12 800 MHz 5.5 ns 178-VFBGA(11x11.5)
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Micron是全球著名的半导体存储器方案供应商。该公司的存储器方案被应用于计算机及外设、消费电子、CAD/CAM、通信、办公室自动化、网络和数据处理、图形显示等。公司1978年组建,总部位于美国爱德荷州,有员工约16,000人,拥有全球化的生产、销售网点。目前主要生产DRAM、…
MTFC256GBCAQTC-IT
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MT29F8T08EWLKEM5-M:K 是高性能、高耐用性和低功耗小型应用的理想选择,满足了物联网、汽车和新兴嵌入式应用的需求。特点写保护是一种基本的临时安全功能,通过拨动硬件引脚可以锁定/解锁整个器件。块锁定是一种临时安全功能,与 LOCK 硬件引脚配合使用,可灵活锁定某些内…MT29F8T08EULCHD5-T:C
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