商品名称:WAS310M17BM3
数据手册:WAS310M17BM3.pdf
品牌:Wolfspeed
年份:23+
封装:MODULE
货期:全新原装
库存数量:1000 件
WAS310M17BM3 1700V SiC半桥模块具有业界标准62mm占位面积、由铜基板,氮化铝绝缘体组成。这些模块具有超低损耗、高频工作、MOSFET零关断尾电流和二极管零反向恢复的特点。由于SiC的低开关损耗和导通损耗,该半桥模块具有62mm外形尺寸,可以进行系统改造并提高效率。该模块具有-40°C到150°C虚拟结温范围,310A电流(ID),和-40°C到125°C外壳温度范围。1700V SiC半桥模块非常适用于感应加热、电机驱动、可再生能源和电动汽车快速充电应用。
技术特点
• 行业标准 62mm 基底面
• 高湿度操作 THB-80 (HV-H3TRB)
• 超低损耗,高频操作
• 二极管零反向恢复
• 来自 MOSFET 的零关断尾电流
• 常开、故障安全器件操作
• 铜基板和氮化铝绝缘体
应用
• 感应加热
• 电机驱动
• 可再生能源
• 铁路辅助和牵引
• 电动汽车快速充电
• UPS 和 SMPS
系统优势
• 62mm 外形尺寸使系统可进行改装
• 开关和传导损耗低,提高了系统效率和碳化硅的传导损耗
型号
品牌
封装
数量
描述
Microchip
Module
1000
MOSFET - 阵列 1700V(1.7kV),1200V(1.2kV) 337A(Tc),317A(Tc) 1.492kW(Tc) 底座安装
Microchip
Module
1000
MOSFET - 阵列 1200V(1.2kV),700V 472A(Tc),442A(Tc) 1.846kW(Tc),1.161kW(Tc) 底座安装
Microchip
Module
10000
MOSFET - 阵列 1700V(1.7kV),1200V(1.2kV) 124A(Tc),89A(Tc) 602W(Tc),395W(Tc) 底座安装
Microchip
Module
1000
MOSFET - 阵列 1200V(1.2kV),700V 317A(Tc),227A(Tc) 1.253kW(Tc),613W(Tc) 底座安装
Microchip
Module
1000
MOSFET - 阵列 1200V(1.2kV),700V 89A(Tc),124A(Tc) 395W(Tc),365W(Tc) 底座安装
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