商品名称:NCP51561DBDWR2G
数据手册:NCP51561DBDWR2G.PDF
品牌:ON
年份:23+
封装:16-SOIC
货期:全新原装
库存数量:1000 件
NCP51561DBDWR2G是隔离型双通道栅极驱动器,具有源极和灌极峰值电流分别为 4.5-A/9-A 。它们设计用于快速开关,以驱动功率 MOSFET 和 SiC MOSFET 功率开关。提供短且匹配的传播延迟。从输入到每个输出均有两个独立的 5 kVrms 内部电隔离,以及内部功能隔离。驱动器之间的内部功能隔离,允许高达 1500 VDC 的工作电压。该驱动器可用于两个低压侧、两个高压侧开关或半桥驱动器等任何可能的配置。
产品属性
技术:容性耦合
通道数:2
电压 - 隔离:5000Vrms
共模瞬变抗扰度(最小值):200V/ns
传播延迟 tpLH / tpHL(最大值):58ns,58ns
脉宽失真(最大):5ns
上升/下降时间(典型值):11ns,10ns
电流 - 输出高、低:9A,4.5A
电流 - 峰值输出:4.5A,9A
电压 - 输出供电:18.5V ~ 30V
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:16-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
供应商器件封装:16-SOIC
认证机构:CQC,UL,VDE
应用
● 电机驱动器
● DC-DC 和 AC-DC 电源中的隔离转换器
● 服务器、电信和工业基础设施
● UPS 和太阳能逆变器
型号
品牌
封装
数量
描述
答:所有上架的在线商品均可在线即可下单,但也考虑到现货库存流动性比较大,目前还无法做到100%的精准。如有异常,您可以在线联系我公司并给出对应的 解决方案。
答:我们的自营商品均采自合作的国内外原厂或授权代理商,来源均可追溯,确保原装正品。
答:目前我们自营代理的品牌包含TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX等一线品牌,其他渠道均为原厂及代理渠道。如有需要,我们可以针对具体品牌型号来沟通确认。
答:可以通过网站上询价,也可以通过电话以及邮箱咨询。
答:大部分商品信息中都有标注货期,您可根据货期估计商品的发货时间,具体到货时间根据商品具体所在的仓库、您所选择的物流方式而定。
答:可以为个人用户开具普通发票,也可以为企业用户开具增值税专用发票。
安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ON)是应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商。公司的产品系列包括电源和信号管理、逻辑、分立及定制器件,帮助客户解决他们在汽车、通信、计算机、消费电子、工业、LED照明、医疗、军事/航空及电源应用的独…
NTHL099N60S5
NTHL099N60S5属于SuperFET V MOSFET Easy Drive 系列具有出色的开关性能,同时不会牺牲易用性和 EMI 问题,适用于硬开关和软开关拓扑结构。NCD57090BDWR2G
NCD57090BDWR2G是具有 5 kVrms 内部电隔离的大电流单通道 SiC/MOSFET/IGBT 栅极驱动器,专为大功率应用中的高系统效率和可靠性而设计。NTBGS1D5N06C
NTBGS1D5N06C单N沟道功率MOSFET是一款小尺寸、设计紧凑的MOSFET,具有低RDS(on) 和低电容。低RDS(on) 值可最大限度降低导通损耗,低电容可最大限度降低驱动器损耗。这些单N沟道功率MOSFET不含铅,符合RoHS指令,工作温度范围为- 55C至175。参数:FET 类型: N 通道 技术…NDSH50120C
NDSH50120C是碳化硅肖特基二极管采用全新工艺技术,相较于硅基款,能够带来更加优越的开关性能和更高的可靠度。NVMFS5C410NWFAFT1G
安森美半导体 NVMFS5C410NWFAFT1G Trench6 N沟道MV MOSFET是采用先进的功率沟槽工艺(结合屏蔽栅极技术)生产的40V MOSFET。NTB7D3N15MC
NTB7D3N15MC是安森美半导体屏蔽栅极PowerTrench MOSFET是N沟道MOSFET电话咨询:86-755-83294757
企业QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
服务时间:9:00-18:00
联系邮箱:chen13410018555@163.com/sales@hkmjd.com
公司地址:广东省深圳市福田区振中路新亚洲国利大厦1239-1241室
CopyRight©2022 版权归明佳达电子公司所有 粤ICP备05062024号-12
官方二维码
友情链接: