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MSC010SDA170B (SiC) 肖特基势垒二极管 (SBD) 具有出色的动态性能和热性能，优于传统的硅功率二极管。碳化硅势垒二极管由硅 (Si) 和碳 (C) 组成。与纯硅器件相比，碳化硅器件具有更高的介电击穿场强、更高的带隙和更高的热导率。碳化硅肖特基二极管具有零正向和反向恢复电荷，可减少二极管的开关损耗。这些器件还设有温度独立开关，可确保稳定的高温性能。

规格

技术：SiC（碳化硅）肖特基二极管

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：1700 V

电流 - 平均整流 (Io)：31A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.8 V @ 10 A

速度：无恢复时间 > 500mA（Io）

反向恢复时间 (trr)：0 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：200 µA @ 1700 V

不同 Vr、F 时电容：820pF @ 1V，1MHz

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-247-3

供应商器件封装：TO-247-3

工作温度 - 结：-55°C ~ 175°C

基本产品编号：MSC010

特性

零反向恢复电荷提高了系统效率

低正向电压

低漏电流

热导率比纯硅器件高2.5倍

高雪崩 (UIS) 额定值

宽工作结温范围（-55°C至+175°C）和储存温度范围

最大限度地降低了对散热片的要求

高效率

高功率密度

采用紧凑的TO-220和TO-247封装

减少了电路尺寸并降低了系统成本

符合RoHS指令

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