IXTH24N50L - N 沟道 MOSFET - 深圳市明佳达电子有限公司

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商品型号：IXTH24N50L

商品名称：IXTH24N50L

数据手册：IXTH24N50L.pdf

品牌：IXYS

年份：23+

封装：TO-247-3

货期：全新原装

库存数量：5000 件

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公司名称：

技术参数

制造商

IXYS

型号

IXTH24N50L

封装

TO-247-3

描述

N 通道 500 V 24 A (TC) 400W (TC) 通孔 TO-247 (IXTH)

产品描述

IXTH24N50L 是N通道增强模式功率MOSFET，设计用于线性操作，采用国际标准封装。该线性功率MOSFET具有扩展FBSOA，具有氮化铝隔离的miniBLOC，高功率密度，节省空间且易于安装的封装，以及符合UL94 V-0可燃性分类的成型环氧树脂。

该MOSFET可用于可编程负载，电流调节器，DC-DC转换器，电池充电器，DC斩波器以及温度和照明控制等应用。

规格

FET类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源极电压（Vdss）：500 V

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：24 A (Tc)

驱动电压：20V

不同 Id，Vgs时的 Rds On：300毫欧 @ 500mA、20V

不同Id时的Vgs（th）：5V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：160 nC @ 20 V

Vgs (最大值)：±30V

不同Vds时的输入电容（Ciss）：2500 pF @ 25 V

FET 功能：-

功率：400W (Tc)

工作温度：-55°C ~ 150°C (TJ)

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-247 (IXTH)

供应商器件封装：TO-247-3

基本产品编号：IXTH24

常见问题

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