商品名称:MSC080SMA120JS15
品牌:Microchip
年份:24+
封装:SOT-227-4
货期:全新原装
库存数量:1000 件
MSC080SMA120JS15 MOSFET 和硅 IGBT 解决方案相比,性能更高,同时降低了高压应用的总拥有成本。是一款采用 SOT-227 封装的 1200 V、80 mΩ SiC MOSFET。
产品属性
FET 类型:N 通道
技术:SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss):1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):31A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):100 毫欧 @ 15A,20V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.8V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):64 nC @ 20 V
Vgs(最大值):+23V,-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):838 pF @ 1000 V
功率耗散(最大值):143W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:底座安装
供应商器件封装:SOT-227(ISOTOP®)
封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC
应用
●光伏逆变器、转换器和工业电机驱动器
●智能电网输配电
●感应加热和焊接
●H/EV 动力总成和电动汽车充电器
●供电和配电
型号
品牌
封装
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描述
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