STGF10NB60SD是IGBT晶体管，该 IGBT 采用先进的 Power MESH™ 工艺，在低频工作条件下（最高 1 kHz）具有极低的导通压降。
器件属性
系列： PowerMESH™
包装： 管件
电压 - 集射极击穿（最大值）： 600 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 23 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm) ：80 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 1.75V @ 15V，10A
功率 - 最大值： 25 W
开关能量： 600µJ（开），5mJ（关）
输入类型： 标准
栅极电荷： 33 nC
25°C 时 Td（开/关）值： 700ns/1.2µs
测试条件： 480V，10A，1 千欧，15V
反向恢复时间 (trr) ：37 ns
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-220-3 整包
供应商器件封装：TO-220FP
应用
调光器
静态继电器
电机驱动
型号
品牌
封装
数量
描述
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