NTHL040N65S3F属于SuperFET® III MOSFET是高压超结 (SJ) N沟道MOSFET,旨在满足电信、服务器、电动汽车 (EV) 充电器和太阳能产品的高功率密度、系统效率和超高可靠性要求。此系列器件拥有出色的可靠性、低电磁干扰、超高的效率和卓越的热性能,是高性能应用的理想选择。除高性能外,SuperFET III MOSFET还通过丰富的封装选项为产品设计师提供高度的灵活性,特别是在尺寸受限的设计中。
产品属性
系列: SuperFET® III
包装: 管件
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :65A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) :40 毫欧 @ 32.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V @ 6.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 158 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 5940 pF @ 400 V
功率耗散(最大值): 446W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-247-3
封装/外壳: TO-247-3
应用
电信
云系统
工业
型号
品牌
封装
数量
描述
ST
PowerFLAT-4
1000
N 沟道逻辑电平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET,采用 PowerFLAT 5x6 封装
ST
PowerFLAT-4
1000
N 沟道逻辑电平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET,采用 PowerFLAT 5x6 封装
ST
PowerFLAT-4
1000
N 沟道 100 V、5 mΩ typ.、107 A、STripFET™ F7 功率 MOSFET,采用 PowerFLAT™ 5x6 封装
ST
PowerFLAT-4
1000
N 沟道 100 V、最大 3.2 mΩ、158 A STripFET F8 功率 MOSFET,采用 PowerFLAT 5x6 封装
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