IMBG120R234M2H采用 D2PAK-7L (TO-263-7) 封装的 CoolSiC™ MOSFET 1200 V、234 mΩ G2 在第 1 代技术优势的基础上,加快了成本优化、高效、紧凑和可靠解决方案的系统设计。第 2 代产品在硬开关操作和软开关拓扑的关键性能指标上都有显著改进,适用于所有常见的 AC-DC、DC-DC 和 DC-AC 级组合。
产品属性
FET 类型:N 通道
技术:SiC(碳化硅结晶体管)
漏源电压(Vdss):1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.1A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V,18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):233.9 毫欧 @ 3A,18V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):5.1V @ 900µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):7.9 nC @ 18 V
Vgs(最大值):+20V,-7V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):290 pF @ 800 V
功率耗散(最大值):80W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:PG-TO263-7-12
封装/外壳:TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
应用
电动汽车充电
工业电机驱动和控制
光伏
不间断电源 (UPS)
型号
品牌
封装
数量
描述
ST
PowerFLAT-4
1000
N 沟道逻辑电平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET,采用 PowerFLAT 5x6 封装
ST
PowerFLAT-4
1000
N 沟道逻辑电平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET,采用 PowerFLAT 5x6 封装
ST
PowerFLAT-4
1000
N 沟道 100 V、5 mΩ typ.、107 A、STripFET™ F7 功率 MOSFET,采用 PowerFLAT™ 5x6 封装
ST
PowerFLAT-4
1000
N 沟道 100 V、最大 3.2 mΩ、158 A STripFET F8 功率 MOSFET,采用 PowerFLAT 5x6 封装
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