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深圳市明佳达电子有限公司
型号

MPQ5031GRE MPQ4272GVE 88Q2112

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产品分类

集成电路（IC）

以太网 电力线收发器 锁相环 - PLL 射频采样收发器 逻辑 - 电平转换器 接口IC - 多速率重定时器 SAS 扩展器 功率放大器模块 时钟/计时，振荡器 时钟/定时 - 纳米定时器 数字交叉点开关 超声波收发器 时钟/定时 - 延迟线 读卡器控制器 逻辑 - 门和反相器 发射器 隔离式比较器 高速比较器 接口 - 多速率定时器 USB 控制器 CCD 信号处理器 光度测量前端 隔离放大器 数字显示控制器

物联网/IGBT模组

2G模组 4G模组 5G模组 物联网模组 新能源模组 车规级模组 智能模组 AR/VR 蜂窝物联网模块 卫星通信模块 GNSS 模组 LPWA 模组 物联网芯片 无线通信模块

滤波器

2.4GHz Wi-Fi 带通滤波器 有源滤波器​ RF 滤波器 高通滤波器 5GHz Wi-Fi 带通滤波器 6GHz Wi-Fi 带通滤波器

无线连接

Wi-Fi 6 蓝牙IC 蓝牙5.1 蓝牙5.0 蓝牙5.2 超宽带 UWB IC GNSS 接收器 Wi-Fi 4 WiFi 模块 蓝牙低功耗 Wi-Fi 5 Wi-Fi 7 无线网卡芯片 蓝牙模块 WiFi 无线模块 蓝牙音频Soc

电路保护

浪涌抑制 IC ESD 抑制器/TVS 二极管 气体放电管 - GDT /气体等离子体避雷器 TVS - 混合技术

分立半导体

晶体管 - FET，MOSFET - 单个 射频晶体管 功率 MOSFET 模块 碳化硅（SIC）FET 模块 碳化硅（SIC）FET P 沟道 MOSFET 晶体管 - 射频 FET，MOSFET MOSFET 模块 晶闸管 二极管阵列模块 MOSFET 晶体管 N 沟道 MOSFET IGBT 晶体管 二极管与整流器 肖特基二极管与整流器 单齐纳二极管 双极晶体管阵列 功率驱动器模块 二极管 - 整流器 - 单 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 晶体管 - IGBT - 模块 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

电源管理

氮化镓 (GaN) IC 线性稳压器LDO AC-DC控制器和稳压器 DC-DC电源产品 电压基准 电池管理 以太网供电（PoE）控制器

连接器

USB连接器 圆形连接器 汽车连接器 卡边缘连接器 板对板与夹层连接器 FFC、FPC（扁平柔性）连接器 背板连接器 矩形连接器 同轴连接器（射频） 矩形连接器 - 阵列，边缘型，夹层式（板对板）

传感器

板上安装湿度传感器 生物识别传感器 速度传感器 湿度传感器 霍尔效应电流传感器​ 超声波传感器 光学传感器 - 环境光、IR 红外线、UV 紫外线传感器 光学传感器，光电二极管 湿度、湿敏传感器 ​光学探测器和传感器 - 红外探测器 板上安装温度传感器 光学传感器 - 环境光 气体传感器 位置传感器 工业毫米波雷达传感器 汽车毫米波雷达传感器 图像传感器 雷达传感器 运动传感器 - 陀螺仪 超声波接收器、发射器（距离测量） 光学传感器 - 反射式 - 逻辑输出 传感器模块 压力传感器 电流传感器

存储器

NOR 闪存 非易失性存储器 随机存取存储器RAM 静态随机存取存储器SRAM 同步动态随机存取内存SDRAM 动态随机存取存储器SDRAM EEPROM 固态硬盘 - SSD 标准串行EEPROM 汽车级串行EEPROM eMMC ​伪静态随机存储器(PSRAM) 可擦除可编程ROM NAND 闪存 通用闪存存储器 - UFS 动态随机存取存储器DRAM 存储器 - 模块

嵌入式和网络处理器

安全处理器
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图片仅供参考，请参阅产品规格
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商品型号：AIMBG120R020M1

商品名称：AIMBG120R020M1

品牌：INFINEON

年份：23+

封装：TO-263-7

货期：全新原装

库存数量：1000 件

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公司名称：

技术参数

制造商
INFINEON
型号
AIMBG120R020M1
封装
TO-263-7
描述
用于汽车的1200V SiC Mosfet系列

产品描述

AIMBG120R020M1 1200V汽车用碳化硅mosfet系列是为混合动力汽车和电动汽车的当前和未来车载充电器和DC-DC应用而开发的。

该碳化硅mosfet采用最先进的英飞凌SiC沟槽技术，结合.XT互连技术，专门设计用于满足汽车行业对可靠性、质量和性能的高要求。

独特的功能，如在1200V开关中看到的最低栅极电荷和器件电容水平，内部换向证明体二极管无反向恢复损耗，与温度无关的低开关损耗和无阈值导通特性，保证了无障碍设计和易于控制的应用设计。

紧凑的SMD外壳D²PAK(PG-TO263-7)使客户生产设施实现了高度自动化，并进一步降低了系统层面的成本。


特点概述

革命性的半导体材料 - 碳化硅

极低的开关损耗

无阈值的通态特性

0V的关断栅极电压

基准的栅极阈值电压，VGS(th)=4.5V

完全可控的dv/dt

换向稳健的主体二极管，准备用于同步整流

与温度无关的关断开关损耗

用于优化开关性能的感测引脚

适用于HV爬电要求

XT互连技术可实现一流的热性能


优点

效率提高

使得频率更高

提高功率密度

减少冷却工作量

减少系统的复杂性和成本


潜在的应用

板载充电器

DC-DC转换器

相关联产品

型号

品牌

封装

数量

描述

IMBG65R050M2H

INFINEON

TO263-7

1000

650V 碳化硅 CoolSiC™ MOSFET PG-TO263-7

IMBG65R040M2H

INFINEON

TO263-7

1000

650V 碳化硅 CoolSiC™ MOSFET PG-TO263-7

IMBG65R020M2H

INFINEON

TO263-7

1000

650V 碳化硅 CoolSiC™ MOSFET PG-TO263-7

IMBG65R015M2H

INFINEON

TO263-7

1000

650V 碳化硅 CoolSiC™ MOSFET PG-TO263-7

IMBG65R007M2H

INFINEON

TO263-7

1000

650V 碳化硅 CoolSiC™ MOSFET PG-TO263-7

IMZA120R007M1H

INFINEON

TO-247-4

3000

采用TO247-4封装的1200V 7mΩ CoolSiC™沟槽型碳化硅MOSFET

IMW65R072M1HXKSA1

INFINEON

TO-247-3

2000

通孔 N 通道 650 V 26A（Tc） 96W（Tc） PG-TO247-3-41

IMW120R014M1H

INFINEON

TO-247-3

1000

采用TO247-3封装的1200V 14mΩ CoolSiC™沟槽型碳化硅MOSFET

IMYH200R075M1H

INFINEON

TO-247-4

1000

TO-247PLUS-4-HCC封装的CoolSiC™ 2000 V SiC沟槽MOSFET

IMYH200R012M1H

INFINEON

TO-247-4

1000

TO-247PLUS-4-HCC封装的CoolSiC™ 2000 V SiC沟槽MOSFET

常见问题

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    答：所有上架的在线商品均可在线即可下单，但也考虑到现货库存流动性比较大，目前还无法做到100%的精准。如有异常，您可以在线联系我公司并给出对应的 解决方案。

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    答：我们的自营商品均采自合作的国内外原厂或授权代理商，来源均可追溯，确保原装正品。

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    答：目前我们自营代理的品牌包含TI，ST，ADI，NXP，LATTICE，CYPRESS，INFINEON，XILINX等一线品牌，其他渠道均为原厂及代理渠道。如有需要，我们可以针对具体品牌型号来沟通确认。

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    答：可以通过网站上询价，也可以通过电话以及邮箱咨询。

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  • 6.公司能开发票吗？

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INFINEON

INFINEON

英飞凌科技公司于1999年4月1日在德国慕尼黑正式成立，是全球领先的半导体公司之一。其前身是西门子集团的半导体部门，于1999年独立，2000年上市。其中文名称为亿恒科技，2002年后更名为英飞凌科技。 总部位于德国Neubiberg的英飞凌科技股份公司，为现代社会的三大科技挑…

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