商品名称:FP50R12N2T7PB11
数据手册:FP50R12N2T7PB11.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封装:模块
货期:全新原装
库存数量:1000 件
FP50R12N2T7PB11 EconoPIM™ 2 1200 V、50 A 三相 PIM IGBT 模块,采用 TRENCHSTOP™ IGBT7、发射极可控 7 二极管、NTC 和 PressFIT 触点技术。
特点
Trenchstop™ IGBT7
低 VCEsat 和低开关损耗
过载运行温度高达 175°C
2.5 kV AC 1 分钟绝缘
高可靠性和功率密度
铜底板可优化热传播
高功率密度
PressFIT 触点技术
符合 RoHS 规范的模块
应用
工业电机驱动和控制
伺服电机驱动和控制
型号
品牌
封装
数量
描述
答:所有上架的在线商品均可在线即可下单,但也考虑到现货库存流动性比较大,目前还无法做到100%的精准。如有异常,您可以在线联系我公司并给出对应的 解决方案。
答:我们的自营商品均采自合作的国内外原厂或授权代理商,来源均可追溯,确保原装正品。
答:目前我们自营代理的品牌包含TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX等一线品牌,其他渠道均为原厂及代理渠道。如有需要,我们可以针对具体品牌型号来沟通确认。
答:可以通过网站上询价,也可以通过电话以及邮箱咨询。
答:大部分商品信息中都有标注货期,您可根据货期估计商品的发货时间,具体到货时间根据商品具体所在的仓库、您所选择的物流方式而定。
答:可以为个人用户开具普通发票,也可以为企业用户开具增值税专用发票。
英飞凌科技公司于1999年4月1日在德国慕尼黑正式成立,是全球领先的半导体公司之一。其前身是西门子集团的半导体部门,于1999年独立,2000年上市。其中文名称为亿恒科技,2002年后更名为英飞凌科技。 总部位于德国Neubiberg的英飞凌科技股份公司,为现代社会的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一个高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和数据存储器、总线、总线仲裁、中断控制器、外围控制处理器和DMA控制器以及若干片上外设。TC1791旨在满足最苛刻的嵌入式控制系统应用的需要,在这些应用中,价格/性能、实时响应性、计算能…IAUC60N04S6N050H
IAUC60N04S6N050H—OptiMOS™ 6功率MOSFET是先进的下一代创新性器件,性能极为出色。OptiMOS 6系列采用薄晶圆技术,显著提升了性能。与同类产品相比,OptiMOS 6功率MOSFET的RDS(ON)降低了30%,并针对同步整流进行了优化。功能特点• OptiMOS™ - 用于汽车应用的功率 MOSIAUC120N04S6N006
IAUC120N04S6N006—英飞凌 OptiMOS™ 6 40 V 功率 MOS 技术采用 5x6 mm2 SS08 无引线封装,具有最高的质量水平和坚固性,适用于汽车应用。IPF015N10N5
IPF015N10N5是英飞凌的 OptiMOS™ 5 功率 MOSFET,1.5 mOhm,100 V,采用行业标准 DPAK 7 引脚封装。ISC030N12NM6
ISC030N12NM6 - 120V OptiMOS™ 6 功率 MOSFET 晶体管产品描述ISC030N12NM6 是一款正常级 120V OptiMOS™ 6 功率 MOSFET 晶体管,采用 SuperSO8 封装,导通电阻为 3.04 mOhm。特性概述-N 沟道、正常电平-极低的导通电阻 RDS(on)-出色的栅极电荷 x RDS(导通)乘积(FOM)…IAUA250N04S6N005
IAUA250N04S6N005 - OptiMOS™ 6 汽车功率 MOSFET 晶体管IAUA250N04S6N005 - 封装概要特性概述OptiMOS™ 功率 MOSFETN 沟道 MOSFET增强模式 - 正常电平超出 AEC-Q101 的扩展鉴定增强型电气测试稳健的设计MSL3 峰值回流温度高达 260C175C 工作温度绿色产品(符合 RoHS 规范…电话咨询:86-755-83294757
企业QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
服务时间:9:00-18:00
联系邮箱:chen13410018555@163.com/sales@hkmjd.com
公司地址:广东省深圳市福田区振中路新亚洲国利大厦1239-1241室
CopyRight©2022 版权归明佳达电子公司所有 粤ICP备05062024号-12
官方二维码
友情链接: