商品名称:IMBF170R650M1
数据手册:IMBF170R650M1.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封装:TO-263-7
货期:全新原装
库存数量:3000 件
IMBF170R650M1 CoolSiC™ 1700 V, 650 mΩ SiC MOSFET采用TO-263-7增大爬电距离,针对反激式拓扑结构进行了优化,适用于众多电力应用场合下接入直流母线电压600 V至1000 V的辅助电源。
特征描述
针对反激式拓扑结构进行了优化
开关损耗极低
兼容反激式控制器的12 V / 0 V栅源电压
完全可控的dV/dt,针对EMI进行优化
SMD(表面贴装)封装具有增大的爬电距离和电气间隙(> 7 mm)
优势
1700 V SiC MOSFET能实现简单高效的单端反激式拓扑结构,适用于辅助电源
SMD(表面贴装)封装便于直接集成于PCB,能实现自然对流冷却,无需额外的散热器
由于产品封装的爬电距离和电气间隙增大,隔离工作量减少
降低系统复杂性
高功率密度
应用领域
储能系统
电动汽车快速充电
电源
工业电机驱动和控制
太阳能系统解决方案
型号
品牌
封装
数量
描述
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