商品名称:IMW65R083M1H
数据手册:IMW65R083M1H.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封装:TO-247-3
货期:全新原装
库存数量:4000 件
IMW65R083M1H 650V CoolSiC™ MOSFET 基于先进的沟槽半导体技术,并经过优化,在毫不折衷的情况下,在应用中实现最低损耗,并在运行中实现最佳可靠性。 此 SiC MOSFET 采用 TO247 3 引脚封装,以提供经济高效的性能。
特征描述
低电容
更高电流下经过优化的开关行为
具有低反向恢复电荷 (Qrr) 的整流稳健快速体二极管
卓越的门极氧化可靠性
出色的热性能
更高的雪崩耐量
可使用标准驱动程序
优势
高性能、高可靠性和易用性
实现高系统效率
降低系统成本和复杂性
减小系统尺寸
适用于具有硬换向事件的拓扑
适用于高温和恶劣的运行条件
实现双向拓扑
潜在应用
服务器
电信系统
SMPS
太阳能系统
储能和电池信息
UPS
电动汽车充电
电机驱动器
型号
品牌
封装
数量
描述
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