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Vishay威世《SI3586DV》N沟道和 P沟道 20V (DS) MOSFET

明佳达电子供应Vishay威世SI3586DV》N沟道和 P沟道 20V (DS) MOSFET

型号 SI3586DV
年份 12+
封装 SOT563

特征

• N 沟道和 P 沟道垂直 DMOS

• 宏模型(子电路模型)

• 3 级 MOS

• 同时申请线性和开关应用

• 在−55 至 125°C 温度范围内保持准确

• 模拟栅极电荷、瞬态和二极管反向恢复特征

规格

FET 类型
N 和 P 沟道
 
FET 功能
逻辑电平门
 
漏源电压(Vdss)
20V
 
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.9A,2.1A
 
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
60 毫欧 @ 3.4A,4.5V
 
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.1V @ 250µA
 
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
6nC @ 4.5V
 
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
-
 
功率 - 最大值
830mW
 
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
 
安装类型
表面贴装型
 
封装/外壳
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
 
供应商器件封装
6-TSOP

实物图

SI3586DV

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邮箱:chen13410018555@163.com

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点击数:0 | 更新时间:2021-07-29 16:09:08
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