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TI TPS28226DRBR TPS28226 4A N沟道 MOSFET 栅极驱动器

  深圳市明佳达电子有限公司大量原装现货供应:

TI TPS28226DRBR TPS28226 4A N沟道 MOSFET 栅极驱动器

制造商:TI

型号:TPS28226DRBR

批号:10+

 

1说明

TPS28226是N通道的高速驱动器具有自适应功能的互补驱动功率MOSFET死区控制。此驱动程序已针对使用进行了优化各种大电流单相和多相直流到直流转换器。TPS28226是一个提供的解决方案高效率,小尺寸和低EMI辐射。

高达8.8V的栅极驱动可实现高效率电压,14 ns自适应死区时间控制,14 ns防止dV / dT相关的击穿电流传播延迟和高电流2-A源和4-A水槽驱动功能。0.4-下栅极驱动器保持电源门MOSFET低于其阈值并确保无射击 -通过高dV / dt相位节点转换的电流。自举电容由内部二极管充电允许在半桥中使用N沟道MOSFET组态。

2规格

驱动配置 半桥

通道类型 同步

驱动器数 2

栅极类型 N 沟道 MOSFET

电压 - 电源 6.8V ~ 8.8V

逻辑电压 - VIL,VIH -

电流 - 峰值输出(灌入,拉出) -

输入类型 非反相

高压侧电压 - 最大值(自举) 33V

上升/下降时间(典型值) 10ns,10ns

工作温度 -40°C ~ 125°C (TJ)

安装类型 表面贴装型

封装/外壳 8-VDFN 裸露焊盘

供应商器件封装 8-SON(3x3)

3应用

•具有模拟或数字的多相DC-DC转换器

数字控制

•桌面和服务器VRM和EVRD

•便携式和笔记本电脑调节器

•隔离电源的同步整流

供应

 

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TPS28226DRBR

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点击数:0 | 更新时间:2019-09-16 16:29:23
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