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嵌入式和网络处理器

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IKY120N65EH7XKSA1

产品说明:650V、120A IGBT,带反并联二极管,采用 TO-247-4 封装

封装:TO-247-4
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IKB30N65ES5ATMA1

产品说明:IGBT 沟槽场截止 650V 62A 188W 表面贴装 PG-TO263-3

封装:TO-263-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IKB30N65EH5ATMA1

产品说明:IGBT 沟槽场截止 650V 55A 188W 表面贴装 PG-TO263-3

封装:TO-263-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IHW40N140R5LXKSA1

产品说明:IGBT 1400V 80A 366W 通孔 PG-TO247-44

封装:TO-247-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IHW30N140R5LXKSA1

产品说明:IGBT 晶体管 1400V 80A 306W 通孔 PG-TO247-44

封装:TO-247-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IHW30N110R5XKSA1

产品说明:IGBT 晶体管 60A 330W 通孔 PG-TO247-3

封装:TO-247-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IKWH40N65EH7XKSA1

产品说明:650V、40A IGBT 晶体管,带反并联二极管,采用 TO-247-3 HCC 封装

封装:TO-247-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IHW25N140R5LXKSA1

产品说明:IGBT 1400 V 68 A 246 W 通孔 PG-TO247-44

封装:TO-247-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IKZA75N65SS5XKSA1

产品说明:带碳化硅肖特基二极管的 650V、75A IGBT 晶体管

封装:TO-247-4
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IGW40N60H3FKSA1

产品说明:采用沟槽和场截止技术的高速 IGBT 晶体管

封装:TO-247-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IGW30N60TFKSA1

产品说明:IGBT 沟槽型场截止 600 V 60 A 187 W 通孔 PG-TO247-3-1

封装:TO-247-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IKW20N60TFKSA1

产品说明:IGBT 沟槽型场截止 600 V 40 A 166 W 通孔 PG-TO247-3-1

封装:TO-247-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
AUIRGDC0250AKMA1

产品说明:英飞凌科技 650 V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7 分立晶体管

封装:TO-273AA
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IKW25N120H3XK

产品说明:1200 V IGBT,带反并联二极管,采用 TO-247 封装

封装:TO-247-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IKP39N65ES5

产品说明:IGBT 沟槽型场截止 650 V 62 A 188 W 通孔 PG-TO220-3

封装:PG-TO220-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IKW20N60H3

产品说明:IGBT 沟槽型场截止 600 V 40 A 170 W 通孔 PG-TO247-3-1

封装:PG-TO247-3-1
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
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