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IMDQ75R020M1H

产品说明:碳化硅 MOSFET 单管 N 通道 750 V 81A(Tj) 326W(Tc) PG-HDSOP-22-1

封装:HDSOP-22
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMDQ75R027M1H

产品说明:碳化硅 MOSFET 单管 N 通道 750 V 64A(Tj) 273W(Tc) PG-HDSOP-22-1

封装:HDSOP-22
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMBG40R011M2H

产品说明:CoolSiC™ MOSFET 400 V G2,采用 D2PAK-7 (TO-263-7) 封装,11 mΩ

封装:TO-263-7
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMT40R015M2H

产品说明:CoolSiC™ MOSFET 400 V G2,采用 TOLL (PG-HSOF-8) 封装,15 mΩ

封装:PG-HSOF-8
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMDQ75R060M1H

产品说明:750 V、高度鲁棒的SiC MOSFET

封装:HDSOP-22
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMT40R011M2H

产品说明:CoolSiC™ MOSFET 400 V G2,采用 TOLL (PG-HSOF-8) 封装,11 mΩ

封装:PG-HSOF-8
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMDQ75R090M1H

产品说明:750 V、高度鲁棒的SiC MOSFET

封装:HDSOP-22
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMBG40R015M2H

产品说明:CoolSiC™ MOSFET 400 V G2,采用 D2PAK-7 (TO-263-7) 封装,15 mΩ

封装:TO-263-7
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMT40R025M2H

产品说明:CoolSiC™ MOSFET 400 V G2,采用 TOLL (PG-HSOF-8) 封装,25 mΩ

封装:PG-HSOF-8
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
AIMDQ75R060M1H

产品说明:汽车类 750 V、高度鲁棒的SiC MOSFET

封装:HDSOP-22
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMBG40R025M2H

产品说明:CoolSiC™ MOSFET 400 V G2,采用 D2PAK-7 (TO-263-7) 封装,25 mΩ

封装:TO-263-7
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
AIMDQ75R090M1H

产品说明:汽车类 750 V、高度鲁棒的SiC MOSFET

封装:HDSOP-22
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMBG40R036M2H

产品说明:CoolSiC™ MOSFET 400 V G2,采用 D2PAK-7 (TO-263-7) 封装,36 mΩ

封装:TO-263-7
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMT40R036M2H

产品说明:CoolSiC™ MOSFET 400 V G2,采用 TOLL (PG-HSOF-8) 封装,36 mΩ

封装:PG-HSOF-8
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMWH170R1K0M1

产品说明:采用TO-247-3 HCC封装的1700 V, 1000 mΩ CoolSiC MOSFET

封装:TO-247-3
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMWH170R450M1

产品说明:采用TO-247-3 HCC封装的1700 V, 450 mΩ CoolSiC MOSFET

封装:TO-247-3
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
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