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STG200G65FD8AG
ST

产品说明:IGBT 沟槽型场截止 650 V 200 A 表面贴装型 SMD

封装:SMD
10起
3222
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
STGD4H60DF
ST

产品说明:IGBT 沟槽型场截止 600 V 8 A 75 W 表面贴装型 DPAK(TO-252)类型 C2

封装:TO-252
10起
3222
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
STGWA40H65FB
ST

产品说明:IGBT 沟槽型场截止 650 V 80 A 283 W 通孔 TO-247 长引线

封装:TO-247-3
10起
3222
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IKY120N65EH7XKSA1

产品说明:650V、120A IGBT,带反并联二极管,采用 TO-247-4 封装

封装:TO-247-4
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IKB30N65ES5ATMA1

产品说明:IGBT 沟槽场截止 650V 62A 188W 表面贴装 PG-TO263-3

封装:TO-263-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IKB30N65EH5ATMA1

产品说明:IGBT 沟槽场截止 650V 55A 188W 表面贴装 PG-TO263-3

封装:TO-263-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
RGS60NL65DHRBTL

产品说明:IGBT 沟槽型场截止 650V 59A 228W 表面贴装型 TO-263L

封装:TO-263-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
RGS60NL65HRBTL

产品说明:IGBT 沟槽型场截止 650V 59A 228W 表面贴装型 TO-263L

封装:TO-263-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
RGS50NL65HRBTL

产品说明:IGBT 沟槽型场截止 650V 50A 206W 表面贴装型 TO-263L

封装:TO-263-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
RGS30NL65DHRBTL

产品说明:IGBT 晶体管,8 秒短路容差,650V 15A

封装:TO-263-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
RGW80NL65DHRBTL

产品说明:650V 40A 现场截止沟槽式 IGBT 晶体管

封装:TO-263-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
RGW80NL65HRBTL

产品说明:650V 40A 现场截止沟槽式 IGBT 晶体管

封装:TO-263-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
RGW60NL65HRBTL

产品说明:650V 30A 现场截止沟槽式 IGBT 晶体管

封装:TO-263-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IXYH55N120B4H1

产品说明:IGBT 沟道 1200V 138A 650W 通孔 TO-247(IXTH)

封装:TO-247-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
RGW50NL65DHRBTL

产品说明:650V 25A 现场截止沟槽式 IGBT 晶体管

封装:TO-263-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IXYH55N120C4H1

产品说明:IGBT 沟道 1200V 126A 650W 通孔 TO-247(IXTH)

封装:TO-247-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
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