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产品说明:采用 TO-263-7 封装的 CoolSiC™ MOSFET 1200 V G2
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封装:TO-263-7产品说明:MOSFET - 功率,单 N 沟道 40V,1.3mΩ
封装:8-PowerTDFN产品说明:MOSFET - 功率,双路,N 沟道,用于 1-2 节锂离子电池保护
封装:WLCSP-6产品说明:功率 MOSFET,N 沟道,SUPERFET® II,600V,199mΩ,TO-220F
封装:TO-220-3产品说明:MOSFET - 功率,单 N 沟道 80V,2.8mΩ
封装:8-PowerTDFN产品说明:MOSFET - 功率,单 N 沟道 40V,1.4mΩ
封装:8-PowerTDFN电话咨询:86-755-83294757
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