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NVMFD024N06CT1G
ON

产品说明:MOSFET - 阵列 60V 8A(Ta),24A(Tc) 3.1W(Ta),28W(Tc) 表面贴装型 8-DFN(5x6)双标记(SO8FL-双通道)

封装:8-DFN
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVMFSC0D9N04C
ON

产品说明:表面贴装型 N 通道 40 V 48.9A(Ta),313A(Tc) 4.1W(Ta),166W(Tc) 8-DFN(5x6.15)

封装:8-DFN
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NXV65HR82DS1
ON

产品说明:功率驱动器模块 MOSFET H 桥 650 V 26 A 16-SSIP 裸露焊盘,成型引线

封装:16-SSIP
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVMFS014P04M8LT1G
ON

产品说明:功率 MOSFET,单 P 沟道,-40 V,13.8 欧姆

封装:5-DFN
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NTLJS3D0N02P8ZTAG
ON

产品说明:N 沟道 20 V 12.1A(Ta) 860mW(Ta)表面贴装

封装:6-PQFN
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVMFS5C670NLAFT1G
ON

产品说明:表面贴装型 N 通道 60 V 17A(Ta) 61W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)

封装:5-DFN
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVHL020N120SC1
ON

产品说明:碳化硅 (SiC) MOSFET,N 沟道 - EliteSiC,20 mohm,1200 V,M1,TO247-3L

封装:TO-247-3
10起
1100
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVMFS005N10MCLT1G
ON

产品说明:MOSFET MOSFET - 功率,单路,N 沟道 100 V,5.1 欧姆,108A DFN5

封装:5-DFN
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NTBG020N120SC1
ON

产品说明:碳化硅 (SiC) MOSFET - EliteSiC、20 mohm、1200 V、M1、D2PAK-7L

封装:D2PAK-7
10起
1100
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NTMFS0D8N03CT1G
ON

产品说明:MOSFET,功率,单 N 沟道,30V,SO-8FL

封装:8-PowerTDFN
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NTMYS2D4N04CTWG
ON

产品说明:N 沟道 40 V 30A(Ta),138A(Tc) 3.9W(Ta),83W(Tc) 表面贴装

封装:LFPAK4
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVMFWS3D6N10MCLT1G
ON

产品说明:MOSFET 单 N 沟道功率 MOSFET 100 V、131 A、3.6mohm

封装:5-DFN
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVHL020N090SC1
ON

产品说明:碳化硅 (SiC) MOSFET,N 沟道- EliteSiC,20 mohm,900 V,M2,TO247-3L

封装:TO-247-3
10起
1100
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVMFS3D6N10MCLT1G
ON

产品说明:MOSFET 单 N 沟道功率 MOSFET 100 V、131 A、3.6mohm

封装:8-PowerTDFN
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVMYS1D3N04CTWG
ON

产品说明:N 沟道 40 V 43A(Ta),252A(Tc) 3.9W(Ta),134W(Tc) 表面贴装

封装:LFPAK4
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVHL160N120SC1
ON

产品说明:碳化硅 (SiC) MOSFET,N 沟道 - EliteSiC,160 mΩ,1200 V,M1,TO247-3L

封装:TO-247-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
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