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IDWD50G200C5

产品说明:CoolSiC™ 肖特基二极管 2kV,采用 TO-247-2 封装

封装:PG-TO247-2
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IDWD40G200C5

产品说明:CoolSiC™ 肖特基二极管 2kV,采用 TO-247-2 封装

封装:PG-TO247-2
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IDWD25G200C5

产品说明:CoolSiC™ 肖特基二极管 2kV,采用 TO-247-2 封装

封装:PG-TO247-2
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IDW20G65C5B

产品说明:650V G5,CoolSiC™ 肖特基二极管

封装:PG-TO247-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IDDD08G65C6

产品说明:CoolSiC™ 肖特基二极管 650V G6

封装:PG-HDSOP-10
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IDWD10G200C5

产品说明:CoolSiC™ 肖特基二极管 2000 V,采用 TO-247-2 封装

封装:PG-TO247-2
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMBG65R060M2H

产品说明:CoolSiC™ 650 V G2 碳化硅 MOSFET 晶体管

封装:PG-TO263-7
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMBG65R033M2H

产品说明:CoolSiC™ 650 V G2 碳化硅 MOSFET 晶体管

封装:PG-TO263-7
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMLT65R026M2H

产品说明:CoolSiC™ 650 V G2 碳化硅 MOSFET 晶体管

封装:PG-HDSOP-16
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
WNSC2D401200CW

产品说明:双通道碳化硅肖特基二极管,采用 TO247 塑料封装

封装:TO-247-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
MGA-635P8-TR1G

产品说明:射频放大器 IC CDMA,GSM 2.3GHz ~ 4GHz 8-QFN(2x2)

封装:QFN-8
10起
4000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
VND7030AJTR
ST

产品说明:电源开关 IC - 用于汽车的双通道高压侧驱动器 MultiSense 模拟反馈

封装:PowerSSO-16
10起
10000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IW610CUK
NXP

产品说明:2.4/5 GHz 双频 1x1 Wi-Fi® 6 + 低功耗蓝牙 5.4 + 802.15.4 三频解决方案

封装:HVQFN81
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
MT61K512M32KPA-14C:B

产品说明:动态随机存取存储器 GDDR6 16G 512MX32 FBGA DDP

封装:FBGA-180
10起
10000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IW610FHN
NXP

产品说明:2.4/5 GHz 双频 1x1 Wi-Fi® 6 + 低功耗蓝牙 5.4 + 802.15.4 三频解决方案

封装:HVQFN81
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IW610FUK
NXP

产品说明:2.4/5 GHz 双频 1x1 Wi-Fi® 6 + 低功耗蓝牙 5.4 + 802.15.4 三频解决方案

封装:HVQFN81
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
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