商品名称:NCV78763MW4AR2G
数据手册:NCV78763MW4AR2G.pdf
品牌:ON
年份:23+
封装:32-VFQFN
货期:全新原装
库存数量:1000 件
NCV78763MW4AR2G 是一款单芯片、高效智能功率镇流器和双 LED 驱动器,设计用于汽车前部照明应用,如远光灯、近光灯、日间行车灯 (DRL)、转向指示灯、雾灯、静态转弯灯等。
产品特性
单芯片升压-降压解决方案
高达 60 V 的两个 LED 串
每个输出高达 1.6 A DC 的高电流能力
整体系统效率高
外部元件最少
有源输入滤波器,可降低来自电池的电流纹波
集成开关模式降压电流调节器
集成升压电流模式控制器
可编程输入电流限制
通过 LED 的平均电流调节
工作频率高,可减小电感器尺寸
集成式 PWM 调光,频率范围广
用于 LED 开关和调光的低 EMC 辐射
用于动态控制系统参数的 SPI 接口
典型应用
前照灯远光灯和近光灯
日间行车灯 (DRL)
位置灯或驻车灯
转向指示灯
雾灯和静态弯道灯
型号
品牌
封装
数量
描述
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UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于独特的 “级联 ”电路配置,其中一个常开 SiC JFET 与一个 Si MOSFET 共同封装,从而产生一个常闭 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性使其成为 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超级结器件的真正 “直接替代品”。该器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于独特的 “级联 ”电路配置,其中一个常开 SiC JFET 与一个 Si MOSFET 共同封装,从而产生一个常闭 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性使其成为 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超级结器件的真正 “直接替代品”。该器件采用 TO24…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于独特的 “级联 ”电路配置,其中一个常开 SiC JFET 与一个 Si MOSFET 共同封装,从而产生一个常闭 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超级结器件。该器件采用 T0247-3 封装,具有超…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用级联优化 MOSFET,是目前市场上唯一的标准栅极驱动 SiC 器件。该器件采用 4 端子 T0247- 封装,具有极快的开关速度和类似额定值器件中最佳的反向恢复特性。这些器件非常适合电感负载开关和任何需要标准栅极驱动的应用。UF3…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于独特的 “级联 ”电路配置,其中一个常开 SiC JFET 与一个 Si MOSFET 共同封装,从而产生一个常闭 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性使其成为 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超结器件的真正 “直接替代品”。该器件采用 DPAK-3L…NVH4L050N170M1
NVH4L050N170M1:1700V、45A、53mohm、碳化硅 (SiC) N通道 MOSFET 晶体管,TO-247-4型号:NVH4L050N170M1封装:TO-247-4类型:碳化硅(SiC)MOSFET 晶体管NVH4L050N170M1 规格参数:FET 类型:N 通道技术:SiC(碳化硅结晶体管)漏源电压(Vdss):1700 V25C 时电流 - 连…电话咨询:86-755-83294757
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