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NTMFS4C810NAT3G MOSFET - 功率，单，N-通道，SO-8 FL 30 V，46 A

产品属性

晶体管类型 N-沟道  

技术 MOSFET（金属氧化物）  

漏极至源极电压 (Vdss) 30 V  

电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 8.2A (Ta), 46A (Tc)  

驱动电压（最大Rds On，最小Rds On）4.5V，10V  

Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.88mOhm @ 30A, 10V  

Vgs(th)（最大值）@ Id 2.2V @ 250µA  

栅极电荷（Qg）（最大值） @ Vgs 18.6 nC @ 10 V  

Vgs (最大) ±20V  

输入电容（Ciss）（最大值）@ Vds 987 pF @ 15 V  

功率耗散（最大）750mW（Ta），23.6W（Tc）

工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)  

安装类型 表面贴装  

供应商器件封装 5-DFN (5x6) (8-SOFL)

应用

• CPU 电源输送

• 直流-直流转换器

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