商品名称:FUSB15101MNTWG
数据手册:FUSB15101MNTWG.pdf
品牌:ON
年份:23+
封装:20-QFN
货期:全新原装
库存数量:2000 件
FUSB15101MNTWG 是一款高度集成的 USB Power Delivery (PD) 电源控制器,可控制 AC-DC 适配器二次侧的光耦合器或 DC-DC 端口电源稳压器。
功能特点
32 位 Arm Cortex-M0+ 处理器
32 KB OTP(一次性可编程)程序存储器
支持 PPS 的 USB PD 3.1
电源管理单元,VIN 支持 3.3 V 至 24 V
集成 VCONN 电源,用于侦测 E-Marked 电缆
空闲和睡眠模式,满足 CoC 和 DoE 要求
外设
USB Type-C / PD 检测和通信层
用于负载开关控制的 VBUS NMOS 栅极驱动器
VBUS 放电功能
可编程恒压和恒流控制
两个 10 位 DAC,用于精确的电压和电流控制
两个 NTC 温度测量
用于电压、电流和温度报告的 10 位 ADC
两个通用 32 位定时器
看门狗定时器 (WDT)
I2C 主/从外设
D+/- 引脚上的 UART
输出故障保护
过压
欠压
过流
过温保护
应用
用于移动电话、平板电脑和计算设备的壁式充电器
符合 AC-DC USB PD 标准的适配器
电源箱
点烟器适配器
型号
品牌
封装
数量
描述
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UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于独特的 “级联 ”电路配置,其中一个常开 SiC JFET 与一个 Si MOSFET 共同封装,从而产生一个常闭 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性使其成为 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超级结器件的真正 “直接替代品”。该器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
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UF3C120040K3S SiC FET 器件基于独特的 “级联 ”电路配置,其中一个常开 SiC JFET 与一个 Si MOSFET 共同封装,从而产生一个常闭 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超级结器件。该器件采用 T0247-3 封装,具有超…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用级联优化 MOSFET,是目前市场上唯一的标准栅极驱动 SiC 器件。该器件采用 4 端子 T0247- 封装,具有极快的开关速度和类似额定值器件中最佳的反向恢复特性。这些器件非常适合电感负载开关和任何需要标准栅极驱动的应用。UF3…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于独特的 “级联 ”电路配置,其中一个常开 SiC JFET 与一个 Si MOSFET 共同封装,从而产生一个常闭 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性使其成为 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超结器件的真正 “直接替代品”。该器件采用 DPAK-3L…NVH4L050N170M1
NVH4L050N170M1:1700V、45A、53mohm、碳化硅 (SiC) N通道 MOSFET 晶体管,TO-247-4型号:NVH4L050N170M1封装:TO-247-4类型:碳化硅(SiC)MOSFET 晶体管NVH4L050N170M1 规格参数:FET 类型:N 通道技术:SiC(碳化硅结晶体管)漏源电压(Vdss):1700 V25C 时电流 - 连…电话咨询:86-755-83294757
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