NV6154集成了栅极驱动,实现了前所未有的高频率和高效率运行。还集成了GaNSense™ 技术,实现了对电压、电流和温度的实时、精确感应,进一步提高了性能和稳健性,任何分立氮化镓或分立硅器件都无法实现。器件无法实现的性能和稳健性。GaNSense™ 实现了集成无损耗电流传感,从而消除了外部电流传感装置。实现了集成无损耗电流检测,从而消除了外部电流检测电阻器,提高了系统效率。
产品属性
开关类型:通用
输出数:1
比率 - 输入:输出:1:1
输出配置:高/低端
输出类型:N 通道
接口:PWM
电压 - 负载:700V
电压 - 供电 (Vcc/Vdd):9V ~ 24V
电流 - 输出(最大值):5A
导通电阻(典型值):260 毫欧
输入类型:非反相
特性:PWM 输入,压摆率受控型
故障保护:限流(固定),超温,短路,UVLO
工作温度:-55°C ~ 150°C
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:24-PQFN (5x6)
封装/外壳:24-PowerVQFN
应用
● 交流-直流,直流-直流,直流-交流
● QR 反激式、PFC、AHB、降压、升压、半桥、全桥、LLC 谐振、D 类
● 无线供电、太阳能微型逆变器、LED 照明、电视SMPS、服务器、电信
型号
品牌
封装
数量
描述
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纳微半导体(Navitas Semiconductor)成立于 2014 年,专注于开发超高效的氮化镓半导体产品。 2022年1月,纳微半导体宣布开设新的电动汽车 (EV) 设计中心,进一步扩展到更高功率的氮化镓市场。氮化镓功率芯片企业纳微半导体宣布推出全新一代采用GaNSense技术的智能GaNFas…
NV6115-RA
NV6115-RA芯片的导阻为170mΩ,耐压650V,支持2MHz开关频率,采用5*6mm QFN封装,节省面积,得益于NV6115内置驱动器,无需外置驱动器,更加节省PCB空间。GaNFast 功率集成电路将反激式、半桥、谐振等传统拓扑结构的功能扩展到 MHz 以上,使突破性设计得以商业化。产品属性…NV6117-RA
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NV6132A-RA 这款 GaNFast™ 功率集成电路集成了带集成栅极驱动的高性能 eMode GaN FET,可实现前所未有的高频和高效率运行。它还集成了 GaNSense™ 技术,可实时、准确地检测电压、电流和温度,从而进一步提高性能和稳健性,这是任何分立氮化镓或分立硅器件都无法实现的。…NV6152-RA
NV6152-RA 这款 GaNFast™ 功率集成电路集成了高性能 eMode GaN FET 和集成栅极驱动,可实现前所未有的高频和高效率运行。产品特性GaNFast™ 功率集成电路- 单片集成栅极驱动- 宽 VCC 范围(10 至 30 V)- 可编程导通 dV/dt- 200 V/ns dV/dt 抗扰度- 800 V 额定瞬态电压-…NV6153-RA
NV6153-RA GaNFast™ 功率集成电路集成了高性能 eMode GaN FET 和集成栅极驱动,可实现前所未有的高频和高效率运行。功能特点单片集成栅极驱动宽 VCC 范围(10 至 30 V)可编程导通 dV/dt200 V/ns dV/dt 抗扰度800 V 额定瞬态电压700 V 额定连续电压300 mΩ 低电阻零反向…NV6158
NV6158 GaNFast™ 功率集成电路集成了高性能 eMode GaN FET 和集成栅极驱动,可实现前所未有的高频和高效率运行。功能特点单片集成栅极驱动宽 VCC 范围(10 至 30 V)可编程导通 dV/dt200 V/ns dV/dt 抗扰度800 V 额定瞬态电压700 V 额定连续电压120 mΩ 低电阻零反向恢复…电话咨询:86-755-83294757
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