商品名称:MICROFJ-30035-TSV-TR
品牌:ON
年份:23+
封装:8-WBGA
货期:全新原装
库存数量:1000 件
MICROFJ-30035-TSV-TR 是采用 TSV 封装的硅光电倍增管 (SiPM)、高 PDE 和定时分辨率传感器。J 系列低照度传感器采用高容量、P-on-N 硅代工工艺,具有高 PDE(光子检测效率)的特点。
产品属性
波长:420nm
频谱范围:200nm ~ 900nm
二极管类型:雪崩
响应时间: 110ps
电压 - 直流反向 (Vr)(最大值): 24.7 V
电流 - 暗(典型值): 1.9µA
有效面积:9.43mm²
工作温度:-40°C ~ 85°C
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:8-WBGA
产品特性
高密度微电池
快速输出端子
温度稳定性为 21.5mV/°C
±250mV 击穿电压一致性
采用与回流焊兼容的 TSV 芯片级封装
典型值为 50kHz/mm2 的超低暗计数率
针对 ToF-PET 等高性能定时应用进行了优化
传感器尺寸为 3 毫米、4 毫米和 6 毫米
<30V 偏置电压
在 420nm 波长处具有 50% 的光子检测效率 (PDE)
改进的信号上升时间和微电池恢复时间
无需主动电压控制
高均匀性
TSV 封装几乎无死角,可创建高填充因子阵列,且不含铁金属
应用
医疗成像
危险和威胁
3D 测距和传感
生物光子学和科学
高能物理
型号
品牌
封装
数量
描述
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UJ3C120040K3S
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