商品名称:MT41K512M16VRP-107 AIT:P
数据手册:MT41K512M16VRP-107 AIT:P.pdf
品牌:Micron
年份:23+
封装:96-FBGA
货期:全新原装
库存数量:2000 件
MT41K512M16VRP-107 AIT:P 8Gb (TwinDie) DDR3L SDRAM (1.35V) 在一个封装中使用两个 4Gb DDR3L SDRAM x8 芯片,实现 2 字节 x16 器件。
特性
VDD = VDDQ = 1.35V (1.283-1.45V)
向后兼容 VDD = VDDQ = 1.5V ±0.075V
差分双向数据选通
8n 位预取架构
差分时钟输入(CK、CK#)
8 个内部银行
数据、选通和掩码信号的标称和动态片上终止 (ODT)
可编程 CAS(读取)延迟 (CL)
可编程贴片 CAS 加法延迟 (AL)
可编程 CAS(写)延迟 (CWL)
固定突发长度 (BL) 为 8,突发斩波 (BC) 为 4(通过模式寄存器组 [MRS])。
可选择实时 BC4 或 BL8 (OTF)
自刷新模式
在 -40°C 至 +105°C 温度范围内,刷新周期为 64 毫秒,在 -40°C 至 +85°C 温度范围内,刷新周期为 8192 毫秒,在 +85°C 至 +105°C 温度范围内,刷新周期为 32 毫秒
自刷新温度 (SRT)
自动自我刷新 (ASR)
写入均衡
多用途寄存器
输出驱动器校准
AEC-Q100
提交 PPAP
8D 响应时间
型号
品牌
封装
数量
描述
SK hynix
FBGA-200
1000
Mem-SDRAM-Lpddr4, 16Gb(2Gb), 2Chx16, 3733Mbps, FBGA-200 (15.1X10.1)mm X 1mm Max H
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