商品名称:S29GL512T10FHI020
品牌:INFINEON
年份:23+
封装:FBGA-64
货期:全新原装
库存数量:1000 件
S29GL512T10FHI020 是采用 45 纳米工艺技术制造的 MIRRORBIT™ 闪存产品。这些器件的快速页面访问时间快达 15 ns,相应的随机访问时间快达 100 ns。这些器件具有写入缓冲器,一次操作最多可对 512 字节进行编程,因此有效编程时间比标准编程算法更快。因此,这些器件非常适合当今需要更高密度、更高性能和更低功耗的嵌入式应用。
功能特点
• 45 纳米 MIRRORBIT™ 技术
• 用于读取/编程/擦除的单电源(VCC)(2.7 V 至 3.6 V)
• 多功能 I/O 功能
- 宽 I/O 电压范围 (VIO): 1.65 V 至 VCC
• ×8/×16 数据总线
• 异步 32 字节页面读取
• 512 字节编程缓冲区
- 以页面倍数编程,最大可达 512 字节
• 单字和多字编程选项
• 自动错误检查和纠正 (ECC) - 具有单位错误纠正功能的内部硬件 ECC
• 扇区擦除
- 统一的 128-KB 扇区
• 用于编程和擦除操作的暂停和恢复命令
• 状态寄存器、数据轮询和就绪/忙引脚方法可确定设备状态
• 高级扇区保护 (ASP)
- 每个扇区的易失性和非易失性保护方法
• 独立的 2048 字节一次性编程 (OTP) 阵列
- 四个可锁定区域(SSR0-SSR3)
- SSR0 出厂时已锁定
- SSR3 为密码读取保护
- 通用闪存接口 (CFI) 参数表
• 温度范围/等级
- 工业级(-40°C 至 +85°C)
- 汽车,AEC-Q100 3 级(-40°C 至 +85°C)
• 100,000 次编程/擦除循环
• 20 年数据保存期
型号
品牌
封装
数量
描述
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