商品名称:CBB032M12FM3T
数据手册:CBB032M12FM3T.pdf
品牌:Wolfspeed
年份:23+
封装:MODULE
货期:全新原装
库存数量:1000 件
CBB032M12FM3T 1200 V、32 mΩ、碳化硅、全桥模块。
产品属性
技术: 碳化硅(SiC)
配置: 4 N 沟道(全桥)
FET 功能: 碳化硅(SiC)
漏源电压(Vdss): 1200V(1.2kV)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):39A(Tj)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 44 毫欧 @ 30A,15V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3.9V @ 11mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 118nC @ 15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 3500pF @ 1000V
工作温度: -40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 底座安装
封装/外壳: 模块
应用
● 直流-直流转换器
● 电动汽车充电器
● 高效转换器/逆变器
● 可再生能源
● 智能电网/并网分布式发电
型号
品牌
封装
数量
描述
Microchip
Module
1000
MOSFET - 阵列 1700V(1.7kV),1200V(1.2kV) 337A(Tc),317A(Tc) 1.492kW(Tc) 底座安装
Microchip
Module
1000
MOSFET - 阵列 1200V(1.2kV),700V 472A(Tc),442A(Tc) 1.846kW(Tc),1.161kW(Tc) 底座安装
Microchip
Module
10000
MOSFET - 阵列 1700V(1.7kV),1200V(1.2kV) 124A(Tc),89A(Tc) 602W(Tc),395W(Tc) 底座安装
Microchip
Module
1000
MOSFET - 阵列 1200V(1.2kV),700V 317A(Tc),227A(Tc) 1.253kW(Tc),613W(Tc) 底座安装
Microchip
Module
1000
MOSFET - 阵列 1200V(1.2kV),700V 89A(Tc),124A(Tc) 395W(Tc),365W(Tc) 底座安装
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Wolfspeed(纽交所代码:NYSE)在全球采用碳化硅和 GaN 技术方面处于市场领先地位。我们为高效能源消耗和可持续未来提供行业领先的解决方案。Wolfspeed 的产品系列包括碳化硅材料、电源开关器件和射频器件,涵盖电动汽车、快速充电、5G、可再生能源和存储以及航空航天和国…
C3M0280090J
C3M0280090J是一款900 V碳化硅功率MOSFET,具有宽爬电距离以及漏极和源极之间的间隙距离(~8mm)。该器件针对高频电力电子应用进行了优化。典型应用包括:可再生能源、照明、高压DC/DC转换器、电信电源和感应加热。C3M0280090J的规格:FET 类型:N 通道技术:SiCFET(碳化硅…C3M0160120D
C3M0160120D是基于第三代平面MOSFET技术的1200 V, 160 mΩ, 17 A碳化硅功率MOSFET,具有高阻断电压、低导通电阻和低电容高速开关。该款MOSFET采用小型TO-247-3封装。典型应用包括可再生能源、高压直流/直流转换器、开关模式电源(SMPS)和不间断电源(UPS)。C3M0160120D…C3M0350120J
C3M0350120J是基于第三代平面MOSFET技术的1200 V, 7.2 A碳化硅功率MOSFET,具有高阻断电压、低导通电阻和低电容高速开关。该款MOSFET采用小型TO-263-7封装。典型应用包括可再生能源、高压直流/直流转换器、开关模式电源(SMPS)和不间断电源(UPS)。C3M0350120J的规格:…C2M0080120D
C2M0080120D是一款1200 V, 36 A碳化硅功率MOSFET,具有同类中最低的开关损耗以及超高的开关频率,提供世界级的效率。这些MOSFET经过优化,适用于能效关键型高压应用,如高压电源、辅助电力电子电路、3-10kW太阳能逆变器、工业电机驱动器、大功率直流数据中心电源系统结构…C2M0025120D
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C3M0016120K1是设计符合工业标准的1200 V, 16 mΩ 碳化硅功率MOSFET,具有高速开关特性,电容低,阻断电压高,导通电阻低。Wolfspeed 1200 V碳化硅(SiC)MOSFET系列针对高功率应用进行了优化,如UPS、电机控制和驱动、开关模式电源、太阳能和储能系统、电动汽车充电、高压…电话咨询:86-755-83294757
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