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产品分类

AI 处理器

AI 加速器

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商品型号:CBB032M12FM3T

商品名称:CBB032M12FM3T

数据手册:CBB032M12FM3T.pdf

品牌:Wolfspeed

年份:23+

封装:MODULE

货期:全新原装

库存数量:1000

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公司名称:

技术参数

制造商
Wolfspeed
型号
CBB032M12FM3T
封装
MODULE
描述
MOSFET - 阵列 1200V(1.2kV) 39A(Tj) 底座安装

产品描述

CBB032M12FM3T 1200 V、32 mΩ、碳化硅、全桥模块。


产品属性

技术: 碳化硅(SiC)  

配置: 4 N 沟道(全桥)  

FET 功能: 碳化硅(SiC)  

漏源电压(Vdss): 1200V(1.2kV)  

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):39A(Tj)  

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 44 毫欧 @ 30A,15V  

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3.9V @ 11mA  

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 118nC @ 15V  

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 3500pF @ 1000V  

工作温度: -40°C ~ 150°C(TJ)  

安装类型: 底座安装  

封装/外壳: 模块


应用

● 直流-直流转换器

● 电动汽车充电器

● 高效转换器/逆变器

● 可再生能源

● 智能电网/并网分布式发电

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型号

品牌

封装

数量

描述

STL76DN4LF7AG

ST

8-PowerVDFN

2000

汽车级双 N 沟道 STripFET™ F7 功率 MOSFET 晶体管

MSCSM170HRM075NG

Microchip

Module

1000

MOSFET - 阵列 1700V(1.7kV),1200V(1.2kV) 337A(Tc),317A(Tc) 1.492kW(Tc) 底座安装

MSCSM120HRM052NG

Microchip

Module

1000

MOSFET - 阵列 1200V(1.2kV),700V 472A(Tc),442A(Tc) 1.846kW(Tc),1.161kW(Tc) 底座安装

MSCSM170HRM233AG

Microchip

Module

10000

MOSFET - 阵列 1700V(1.7kV),1200V(1.2kV) 124A(Tc),89A(Tc) 602W(Tc),395W(Tc) 底座安装

MSCSM120HRM08NG

Microchip

Module

1000

MOSFET - 阵列 1200V(1.2kV),700V 317A(Tc),227A(Tc) 1.253kW(Tc),613W(Tc) 底座安装

MSCSM120HRM311AG

Microchip

Module

1000

MOSFET - 阵列 1200V(1.2kV),700V 89A(Tc),124A(Tc) 395W(Tc),365W(Tc) 底座安装

MSCSM70XM45CTYZBNMG

Microchip

Module

1000

MOSFET - 阵列 700V 52A(Tc),110A(Tc) 141W(Tc),292W(Tc) 底座安装

MSCSM120VR1M062CT6AG

Microchip

Module

1000

MOSFET - 阵列 1200V(1.2kV) 420A(Tc) 1.753kW(Tc) 底座安装

MSCSM120HM31TBL2NG

Microchip

Module

1000

MOSFET - 阵列 1200V(1.2kV) 79A 310W 底座安装

MSCSM120HM16T3AG

Microchip

Module

1000

MOSFET - 阵列 1200V(1.2kV) 173A(Tc) 745W(Tc) 底座安装

常见问题

  • 1.平台上看到的库存、价格准确吗?

    答:所有上架的在线商品均可在线即可下单,但也考虑到现货库存流动性比较大,目前还无法做到100%的精准。如有异常,您可以在线联系我公司并给出对应的 解决方案。

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Wolfspeed

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Wolfspeed(纽交所代码:NYSE)在全球采用碳化硅和 GaN 技术方面处于市场领先地位。我们为高效能源消耗和可持续未来提供行业领先的解决方案。Wolfspeed 的产品系列包括碳化硅材料、电源开关器件和射频器件,涵盖电动汽车、快速充电、5G、可再生能源和存储以及航空航天和国…

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