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IMW120R030M1H是采用TO247-3封装的1200 V、30 mΩ CoolSiC™  SiC MOSFET，它基于先进的沟槽半导体工艺，该工艺经过优化，兼具性能与可靠性。与IGBT和MOSFET等传统硅（Si）基开关相比，SiC MOSFET具有诸多优势，例如1200V级开关中最低的栅极电荷和器件电容电平、抗换向体二极管无反向恢复损耗、 独立于温度的低开关损耗以及无阈值导通特性。因此，CoolSiC™ MOSFET非常适用于硬开关和谐振开关拓扑结构，如功率因素校正（PFC）电路、双向拓扑以及DC-DC转换器或DC-AC逆变器。

属性

系列： CoolSiC™  

包装： 管件  

FET 类型： N 通道  

技术： SiCFET（碳化硅）  

漏源电压（Vdss）： 1200 V  

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) ：56A（Tc）  

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 15V，18V  

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 @ 25A，18V  

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.7V @ 10mA  

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 63 nC @ 18 V  

Vgs（最大值）： +23V，-7V  

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2120 pF @ 800 V  

FET 功能： -  

功率耗散（最大值）： 227W（Tc）  

工作温度： -55°C ~ 175°C（TJ）  

安装类型： 通孔  

供应商器件封装： PG-TO247-3-41  

封装/外壳： TO-247-3

应用领域

不间断电源（UPS）

电动汽车快速充电

太阳能系统解决方案

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