商品名称:RMLV3216AGSD-5S2
数据手册:RMLV3216AGSD-5S2.pdf
品牌:Renesas
年份:23+
封装:52-TFSOP
货期:全新原装
库存数量:1000 件
RMLV3216AGSD-5S2是采用瑞萨高性能先进 LPSRAM 技术制造的 32-Mbit 静态 RAM,其组织结构为 2,097,152 字 × 16 位。RMLV3216A 系列实现了更高密度、更高性能和更低功耗。RMLV3216A 系列具有低待机功耗,因此适用于备用电池系统。它采用 48 引脚 TSOP (I)、52 引脚 TSOP (II) 或 48 球精细间距球栅阵列。
特性
单路 3V 电源: 2.7V 至 3.6V
存取时间:55ns(最大值)
电流消耗: 待机:0.6µA(典型值)
通用数据输入和输出 三态输出
直接兼容 TTL 所有输入和输出
备用电池操作
RMLV3216AGSD-5S2规格
存储器类型: 易失
存储器格式: SRAM
技术:SRAM
存储容量: 32Mb
存储器组织: 4M x 8,2M x 16
存储器接口:并联
写周期时间 - 字,页: 55ns
访问时间: 55 ns
电压 - 供电: 2.7V ~ 3.6V
工作温度: -40°C ~ 85°C(TA)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 52-TFSOP(0.350",8.89mm 宽)
供应商器件封装:52-TSOP II
型号
品牌
封装
数量
描述
INFINEON
100-TQFP
2000
ИМС 18-Мбит синхронной памяти SRAM с проточным управлением
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