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产品分类

嵌入式和网络处理器

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商品型号:RMWV6416AGSD-5S2

商品名称:RMWV6416AGSD-5S2

数据手册:RMWV6416AGSD-5S2.pdf

品牌:Renesas

年份:23+

封装:52-TSOP

货期:全新原装

库存数量:1000

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技术参数

制造商
Renesas
型号
RMWV6416AGSD-5S2
封装
52-TSOP
描述
静态随机存取存储器 64MB ADV. 3V TSOP52 55NS -40TO85C

产品描述

RMWV6416AGSD-5S2是由瑞萨高性能先进 LPSRAM 技术制造的 64-Mbit 静态 RAM 系列,具有 4、194、304 字 × 16 位。RMWV6416A 系列实现了更高密度、更高性能和更低功耗。RMWV6416A 系列具有低待机功耗,因此适用于备用电池系统。它采用 48 针 TSOP (I)、52 针 TSOP (II) 或 48 球精细间距球栅阵列。


产品属性

产品种类: 静态随机存取存储器

存储容量: 64 Mbit

组织: 4 M x 16

访问时间: 55 ns

接口类型: Parallel

电源电压-最大: 3.6 V

电源电压-最小: 2.7 V

电源电流—最大值: 38 mA

最小工作温度: - 40 C

最大工作温度: + 85 C

安装风格: SMD/SMT

高度: 1 mm

长度: 10.79 mm

湿度敏感性: Yes

产品类型: SRAM

工厂包装数量:  230

子类别: Memory & Data Storage

宽度: 8.89 mm


特征

单路 3V 电源: 2.7V 至 3.6V

存取时间:55ns(最大值)

电流消耗: 待机:1.2µA(典型值)

通用数据输入和输出 三态输出

直接兼容 TTL 所有输入和输出

备用电池操作

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型号

品牌

封装

数量

描述

CY62148G30-45ZAXIT

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32-TFSOP

2000

带 ECC 的 4MB MoBL™ 超低功耗 RAM

RMLV3216AGBG-5S2

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RMLV3216AGSD-5S2

Renesas

52-TFSOP

1000

静态随机存取存储器 32MB ADV. 3V TSOP52 55NS -40TO85C

CY7C1051H30-10BVXI

Cypress

48-VFBGA

2000

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100-TQFP

3000

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CY7C1514KV18-250BZXI

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165-FBGA

1000

静态随机存取存储器 72MB (2Mx36) 1.8v 250MHz QDR II

S80KS2562GABHM023

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CY14E256LA-SZ45XI

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3000

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S80KS2563GABHB023

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24-FBGA

8000

PSRAM(伪SRAM)存储器IC 256Mbit SPI-八路I/O 200 MHz 35 ns

S27KS0643GABHB020

INFINEON

24-FBGA

3000

PSRAM(伪SRAM)存储器IC 64Mbit SPI - Octal I/O 200 MHz 35 ns

常见问题

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    答:所有上架的在线商品均可在线即可下单,但也考虑到现货库存流动性比较大,目前还无法做到100%的精准。如有异常,您可以在线联系我公司并给出对应的 解决方案。

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    答:可以通过网站上询价,也可以通过电话以及邮箱咨询。

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    答:大部分商品信息中都有标注货期,您可根据货期估计商品的发货时间,具体到货时间根据商品具体所在的仓库、您所选择的物流方式而定。

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    答:可以为个人用户开具普通发票,也可以为企业用户开具增值税专用发票。

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