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产品分类

嵌入式和网络处理器

图片仅供参考,请参阅产品规格
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商品型号:DMT47M2SFVWQ

商品名称:DMT47M2SFVWQ

数据手册:DMT47M2SFVWQ.pdf

品牌:Diodes

年份:23+

封装:8-PowerVDFN

货期:全新原装

库存数量:8000

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技术参数

制造商
Diodes
型号
DMT47M2SFVWQ
封装
8-PowerVDFN
描述
表面贴装,可润湿侧翼 N 通道 40 V 15.4A(Ta),49.1A(Tc)

产品描述

DMT47M2SFVWQ N沟道MOSFET是一种40V增强型MOSFET,具有优异的QG×。低RDS(ON)可确保接通状态的损失最小。由于100%无阻尼电感开关和生产测试,这种MOSFET确保了可靠和稳健的最终应用。


40V集成电路芯片 DMT47M2SFVWQ 150°C N沟道增强型MOSFET


零件号:DMT47M2SFVWQ
Rds开-漏极-源极电阻:7.5毫欧姆
Vgs-栅极-源极电压:-20 V,+20 V
Vgs th-栅极-源极阈值电压:4 V
Qg-栅极电荷:12.1 nC
最低工作温度:-55摄氏度
最高工作温度:+150摄氏度
Pd-功耗:2.67 W


产品特征
低RDS(ON)-确保最大限度地减少状态损耗
100%无阻尼感应开关,在生产中进行测试-确保更可靠和稳健的最终应用
用于改进光学检测的可润湿侧翼


产品应用
电机控制
电源管理功能
DC-DC转换器

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型号

品牌

封装

数量

描述

NVMFD5C672NLT1G

ON

8-DFN

2000

单 N 沟道功率 MOSFET 晶体管

NVMFD5C466NWFT1G

ON

8-DFN

2000

单 N 沟道功率 MOSFET 晶体管

NVMFS5C680NLWFT1G

ON

5-DFNW

2000

单 N 沟道功率 MOSFET 晶体管

NVMFS5C442NLAFT1G

ON

5-DFN

2000

单 N 沟道功率 MOSFET 晶体管

NVMFS5C468NLAFT1G

ON

5-DFN

2000

单 N 沟道功率 MOSFET 晶体管

NVTFS5C670NLTAG

ON

8-WDFN

2000

单 N 沟道功率 MOSFET 晶体管

NVTFS5C673NLTAG

ON

8-WDFN

2000

单 N 沟道功率 MOSFET 晶体管

NVTFS5C471NLWFTAG

ON

8-WDFN

2000

单 N 沟道功率 MOSFET 晶体管

NVTFS5C453NLTAG

ON

8-WDFN

2000

单 N 沟道功率 MOSFET 晶体管

NTMFS5C460NLT1G

ON

5-DFN

2000

单 N 沟道功率 MOSFET 晶体管

常见问题

  • 1.平台上看到的库存、价格准确吗?

    答:所有上架的在线商品均可在线即可下单,但也考虑到现货库存流动性比较大,目前还无法做到100%的精准。如有异常,您可以在线联系我公司并给出对应的 解决方案。

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    答:我们的自营商品均采自合作的国内外原厂或授权代理商,来源均可追溯,确保原装正品。

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    答:目前我们自营代理的品牌包含TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX等一线品牌,其他渠道均为原厂及代理渠道。如有需要,我们可以针对具体品牌型号来沟通确认。

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    答:大部分商品信息中都有标注货期,您可根据货期估计商品的发货时间,具体到货时间根据商品具体所在的仓库、您所选择的物流方式而定。

  • 6.公司能开发票吗?

    答:可以为个人用户开具普通发票,也可以为企业用户开具增值税专用发票。

Diodes

Diodes

Diodes Inc.成立於1966年,是美国Nasdaq上市企业,为敦南科技转投资企业,主要从事半导体分立元件制造生产,Diodes Inc.与光宝集团具备合作夥伴关系,双方共同开发、生产及分销产品,服务厂商包括通讯、电脑、工业、电子产品和汽车工业等。 Diodes 公司是一家在广阔的分…

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