商品名称:NCV7428MW5R2G
数据手册:NCV7428MW5R2G.pdf
品牌:ON
年份:23+
封装:8-VDFN
货期:全新原装
库存数量:2000 件
NCV7428MW5R2G 是一款系统基础芯片 (SBC),集成了汽车电子控制单元中的典型功能。NCV7428MW5R2G 为应用微控制器和其他负载提供并监控低压电源,还包括一个 LIN 收发器。
特点
控制逻辑
确保安全的上电顺序和对不同电源条件的正确反应
控制模式转换,包括电源管理和总线唤醒处理
产生复位
根据版本,由低压稳压器提供 3.3 V 或 5 V VOUT 电源
可提供高达 70 mA 的电流,精度为 ±2
通常为 ECU 的微控制器供电
欠压检测器,带复位输出,连接到所提供的微控制器
LIN 收发器
符合 LIN2.x 和 J2602 标准
TxD 主导超时保护
收发器模式由专用输入引脚控制
保护和监控功能
热关机保护
负载转储保护(45 V)
LIN 总线引脚在汽车环境中的瞬态保护
LIN 和 VS 的 ESD 保护级别 > ±8 kV
用于增强光学检测的可湿侧面封装
应用
汽车
工业网络
型号
品牌
封装
数量
描述
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UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于独特的 “级联 ”电路配置,其中一个常开 SiC JFET 与一个 Si MOSFET 共同封装,从而产生一个常闭 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性使其成为 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超级结器件的真正 “直接替代品”。该器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于独特的 “级联 ”电路配置,其中一个常开 SiC JFET 与一个 Si MOSFET 共同封装,从而产生一个常闭 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性使其成为 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超级结器件的真正 “直接替代品”。该器件采用 TO24…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于独特的 “级联 ”电路配置,其中一个常开 SiC JFET 与一个 Si MOSFET 共同封装,从而产生一个常闭 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超级结器件。该器件采用 T0247-3 封装,具有超…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用级联优化 MOSFET,是目前市场上唯一的标准栅极驱动 SiC 器件。该器件采用 4 端子 T0247- 封装,具有极快的开关速度和类似额定值器件中最佳的反向恢复特性。这些器件非常适合电感负载开关和任何需要标准栅极驱动的应用。UF3…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于独特的 “级联 ”电路配置,其中一个常开 SiC JFET 与一个 Si MOSFET 共同封装,从而产生一个常闭 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性使其成为 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超结器件的真正 “直接替代品”。该器件采用 DPAK-3L…NVH4L050N170M1
NVH4L050N170M1:1700V、45A、53mohm、碳化硅 (SiC) N通道 MOSFET 晶体管,TO-247-4型号:NVH4L050N170M1封装:TO-247-4类型:碳化硅(SiC)MOSFET 晶体管NVH4L050N170M1 规格参数:FET 类型:N 通道技术:SiC(碳化硅结晶体管)漏源电压(Vdss):1700 V25C 时电流 - 连…电话咨询:86-755-83294757
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