商品名称:FFSB0865B-F085
数据手册:FFSB0865B-F085.PDF
品牌:ON
年份:23+
封装:TO-263
货期:全新原装
库存数量:1000 件
FFSB0865B-F085 EliteSiC肖特基二极管采用了一种全新的技术,与硅相比,具有卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流、不受温度影响的开关特性和出色的热性能使碳化硅成为新一代的功率半导体。系统的好处包括最高的效率、更快的工作频率、更高的功率密度、更低的EMI以及更低的系统尺寸和成本。
规格
制造商: onsemi
产品种类: 肖特基二极管与整流器
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: D2PAK-2
配置: Single
技术: SiC
If - 正向电流: 8 A
Vrrm - 重复反向电压: 650 V
Vf - 正向电压: 1.39 V
Ifsm - 正向浪涌电流: 56 A
Ir - 反向电流 : 500 nA
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
资格: AEC-Q101
Pd-功率耗散: 73 W
工厂包装数量: 800
Vr - 反向电压 : 650 V
单位重量: 2.240 g
应用
汽车HEV-EV车载充电器
汽车HEV-EV DC-DC转换器
型号
品牌
封装
数量
描述
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UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于独特的 “级联 ”电路配置,其中一个常开 SiC JFET 与一个 Si MOSFET 共同封装,从而产生一个常闭 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性使其成为 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超级结器件的真正 “直接替代品”。该器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
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UF3C120040K3S SiC FET 器件基于独特的 “级联 ”电路配置,其中一个常开 SiC JFET 与一个 Si MOSFET 共同封装,从而产生一个常闭 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超级结器件。该器件采用 T0247-3 封装,具有超…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用级联优化 MOSFET,是目前市场上唯一的标准栅极驱动 SiC 器件。该器件采用 4 端子 T0247- 封装,具有极快的开关速度和类似额定值器件中最佳的反向恢复特性。这些器件非常适合电感负载开关和任何需要标准栅极驱动的应用。UF3…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于独特的 “级联 ”电路配置,其中一个常开 SiC JFET 与一个 Si MOSFET 共同封装,从而产生一个常闭 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性使其成为 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超结器件的真正 “直接替代品”。该器件采用 DPAK-3L…NVH4L050N170M1
NVH4L050N170M1:1700V、45A、53mohm、碳化硅 (SiC) N通道 MOSFET 晶体管,TO-247-4型号:NVH4L050N170M1封装:TO-247-4类型:碳化硅(SiC)MOSFET 晶体管NVH4L050N170M1 规格参数:FET 类型:N 通道技术:SiC(碳化硅结晶体管)漏源电压(Vdss):1700 V25C 时电流 - 连…电话咨询:86-755-83294757
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