商品名称:FAN53730UCX
数据手册:FAN53730UCX.PDF
品牌:ON
年份:23+
封装:12-XFBGA
货期:全新原装
库存数量:1000 件
安森美半导体FAN53730UCX数字可编程恒定导通时间 (COT) 降压转换器支持最小3A负载电流。由于采用变频运行,COT拓扑结构可提供快速瞬态恢复和和相对于负载的最佳效率。稳压器具有自动DCM/CCM模式操作(带强制CCM控制),并可提供I2C或逻辑控制。
特性
● 2.3V到5.5V的输入电压范围
● 输出电压
● 从 0.3V 到 2V 可编程
● 引脚可选默认值
● 低静态电流:12µA
● 内部软启动可限制接通期间的输入电流
● 连续导通工作模式下的开关频率为2.5MHz
● 1.2V和1.8V逻辑兼容
● 故障保护(输入欠压、短路、过流和过热保护)
● 电源良好 (PG) 输出
● 强制连续导通模式 (FCCM)
● 音频降低模式消除了开关引起的可听到的声音信号
● 完全可编程I2C版本
● 逻辑控制固定输出电压版本
● 环境温度范围:-40°C至+85°C
● 1.07mm x 1.36mm、0.35mm脚距、12焊球WLCSP封装
● 无铅
应用
● LPDDR存储器
● 移动和智能设备
● 射频模块
● 应用、图形和DSP处理器
● ISP电源
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描述
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安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ON)是应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商。公司的产品系列包括电源和信号管理、逻辑、分立及定制器件,帮助客户解决他们在汽车、通信、计算机、消费电子、工业、LED照明、医疗、军事/航空及电源应用的独…
UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于独特的 “级联 ”电路配置,其中一个常开 SiC JFET 与一个 Si MOSFET 共同封装,从而产生一个常闭 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性使其成为 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超级结器件的真正 “直接替代品”。该器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于独特的 “级联 ”电路配置,其中一个常开 SiC JFET 与一个 Si MOSFET 共同封装,从而产生一个常闭 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性使其成为 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超级结器件的真正 “直接替代品”。该器件采用 TO24…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于独特的 “级联 ”电路配置,其中一个常开 SiC JFET 与一个 Si MOSFET 共同封装,从而产生一个常闭 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超级结器件。该器件采用 T0247-3 封装,具有超…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用级联优化 MOSFET,是目前市场上唯一的标准栅极驱动 SiC 器件。该器件采用 4 端子 T0247- 封装,具有极快的开关速度和类似额定值器件中最佳的反向恢复特性。这些器件非常适合电感负载开关和任何需要标准栅极驱动的应用。UF3…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于独特的 “级联 ”电路配置,其中一个常开 SiC JFET 与一个 Si MOSFET 共同封装,从而产生一个常闭 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性使其成为 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超结器件的真正 “直接替代品”。该器件采用 DPAK-3L…NVH4L050N170M1
NVH4L050N170M1:1700V、45A、53mohm、碳化硅 (SiC) N通道 MOSFET 晶体管,TO-247-4型号:NVH4L050N170M1封装:TO-247-4类型:碳化硅(SiC)MOSFET 晶体管NVH4L050N170M1 规格参数:FET 类型:N 通道技术:SiC(碳化硅结晶体管)漏源电压(Vdss):1700 V25C 时电流 - 连…电话咨询:86-755-83294757
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