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LMG1210RVRR是一款 200V 半桥 MOSFET 和氮化镓场效应晶体管 (GaN FET) 驱动器，专为要求超高频率、高效率的应用而开发， 具有可调节死区时间功能、极短的传播延迟以及 3.4ns 高侧/低侧匹配，以优化系统效率。此部件还具备 一个内部 LDO，可确保 5V 的栅极驱动器电压（而与电源电压无关）。

产品特性

• 工作频率高达 50MHz

• 10ns 典型传播延迟

• 3.4ns 高侧至低侧匹配

• 4ns 最小脉宽

• 两个控制输入选项

– 具有可调死区时间的单个 PWM 输入

– 独立输入模式

• 1.5A 峰值拉电流和 3A 峰值灌电流

• 外部自举二极管可实现灵活性

• 内部 LDO 可实现对电压轨的适应能力

• 高 300V/ns CMTI

• HO 到 LO 的电容小于 1pF

• UVLO 和过热保护

• 低电感 WQFN 封装

产品应用

• 高速直流/直流转换器

• 射频封装跟踪

• D 类音频放大器

• E 类无线充电

• 高精度电机控制

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