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IPP70N12S311具有通孔 N 通道 120 V 70A（Tc） 125W（Tc） 采用PG-TO220-3-1封装。

产品属性

FET 类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：120 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：70A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：11.6 毫欧 @ 70A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 83µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：65 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：4355 pF @ 25 V

功率耗散（最大值）：125W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

等级：汽车级

资质；AEC-Q101

安装类型：通孔

供应商器件封装：PG-TO220-3-1

封装/外壳：TO-220-3

功能概述

● OptiMOSTM - 用于汽车应用的功率 MOSFET

● N 沟道 - 增强模式

● 通过汽车 AEC Q101 认证

● MSL1 峰值回流温度高达 260°C

● 175°C 工作温度

● 绿色产品（符合 RoHS 规范）

● 100% 通过雪崩测试

• 1.平台上看到的库存、价格准确吗？

  答：所有上架的在线商品均可在线即可下单，但也考虑到现货库存流动性比较大，目前还无法做到100%的精准。如有异常，您可以在线联系我公司并给出对应的 解决方案。

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  答：我们的自营商品均采自合作的国内外原厂或授权代理商，来源均可追溯，确保原装正品。

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  答：可以通过网站上询价，也可以通过电话以及邮箱咨询。

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  答：大部分商品信息中都有标注货期，您可根据货期估计商品的发货时间，具体到货时间根据商品具体所在的仓库、您所选择的物流方式而定。

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