STGAP1BS是一款用于 N 沟道 MOSFET 和 IGBT 的电隔离单栅极驱动器，具有先进的保护、配置和诊断功能。STGAP1BS 的结构通过真正的电隔离将通道与控制和低压接口电路隔离。栅极驱动器具有 5 A 能力，因此也适用于大功率逆变器应用，如混合动力汽车、电动汽车和工业驱动器中的电机驱动器。输出驱动器部分提供轨至轨输出，可使用负栅极驱动器电源。
功能特点
● 通过 AEC-Q100 认证
● 高达 1500 V 的高压轨
● 驱动器电流能力：25 °C 时为 5 A 灌/源电流
● dV/dt 瞬态抗扰度：在全温度范围内为 ±50 V/ns
● 整体输入/输出传播延迟： 100 ns
● 独立的灌电流和源电流，便于栅极驱动配置
● 负栅极驱动能力
● 有源米勒钳位
● 去饱和检测
● SENSE 输入
● VCE 有源箝位
应用
● 600/1200 V 逆变器
● 电动汽车/混合动力汽车逆变器
● 电动汽车充电站
● 工业驱动器
● UPS 设备
● 直流/直流转换器
● 太阳能逆变器
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STB120NF10T4是意法半导体推出的 N沟道增强型功率MOSFET，属于 STripFET™ II 系列，采用 TO-263-3（D2PAK）封装，适用于高电流、高耐压 应用场景。电话咨询：86-755-83294757
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