商品名称：NTLUD3A260PZTAG
数据手册：
NTLUD3A260PZTAG.PDF
品牌：ON
年份：12+
封装：DFN
货期：原装现货
库存数量：24000 件
NTLUD3A260 - MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道（双） 20V 1.3A 500mW 表面贴装型 6-UDFN（1.6x1.6）
规格参数
FET 类型 2 个 P 沟道（双）
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压（Vdss） 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 1.3A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 200 毫欧 @ 2A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 4.2nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 300pF @ 10V
功率 - 最大值 500mW
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 6-UFDFN 裸露焊盘
供应商器件封装 6-UDFN（1.6x1.6）
型号
品牌
封装
数量
描述
Microchip
Module
1000
MOSFET - 阵列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 337A（Tc），317A（Tc） 1.492kW（Tc） 底座安装
Microchip
Module
1000
MOSFET - 阵列 1200V（1.2kV），700V 472A（Tc），442A（Tc） 1.846kW（Tc），1.161kW（Tc） 底座安装
Microchip
Module
10000
MOSFET - 阵列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 124A（Tc），89A（Tc） 602W（Tc），395W（Tc） 底座安装
Microchip
Module
1000
MOSFET - 阵列 1200V（1.2kV），700V 317A（Tc），227A（Tc） 1.253kW（Tc），613W（Tc） 底座安装
Microchip
Module
1000
MOSFET - 阵列 1200V（1.2kV），700V 89A（Tc），124A（Tc） 395W（Tc），365W（Tc） 底座安装
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