VS-ENZ025C60N 采用 PressFit 引脚，使用方便。裸露的基板提高了散热性能。优化的布局还有助于最大限度地减少杂散参数，从而实现更好的 EMI 性能。
特性
E 系列功率 MOSFET
MOAT 和 SiC 二极管技术
具有低热阻的暴露 Al2O3 基底面
低输入电容
开关和传导损耗低
超低栅极电荷 Qg
低内部电感
以 AQG324 准则为参考进行鉴定
型号
品牌
封装
数量
描述
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Vishay 成立于1962，是世界最大的分立半导体和被动元件的制造商之一. Vishay元件用于工业， 计算机， 汽车， 消费， 电信， 军事， 航空及医疗市场的各种类型的电子设备中。Vishay 的全球足迹包括在中国， 亚洲其他五个国家/地区， 欧洲及美洲设立的制造机构，以及在全球…
VS-GT75LA60UF
VS-GT75LA60UF - 600V、81A、231W 沟槽现场止动单斩波器 IGBT 模块，底座安装 SOT-227VS-GT75LA60UF - 产品描述：VS-GT75LA60UF 是 600V、81A、231W "低侧斩波 "IGBT 模块，采用 SOT-227 封装，底座安装。VS-GT75LA60UF - 主要特性：沟槽式 IGBT 技术开关频率高…
VS-GT100LA65UF
VS-GT100LA65UF - 650V、100A "低侧斩波 "IGBT 模块，SOT-227VS-GT100LA65UF - 产品属性：IGBT 类型：沟槽场截止配置：单斩波器电压 - 集电极发射极击穿（最大值）：650 V电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：94 A功率 - 最大值：230 WVce(on) （最大值） @ Vge，Ic…
VCNL36826S
VCNL36826S - 带中断、VCSEL 和 I2C 接口的接近传感器产品描述VCNL36826S 在一个小型封装中集成了一个接近传感器 (PS) 和一个 VCSEL。它采用 CMOS 工艺将光电二极管、放大器和模数转换电路集成到单个芯片中。PS 的可编程中断功能具有独立的高低阈值，可最大限度地利用微控…
VCNL36828PN3OQ
VCNL36828PN3OQ 是一款完全集成的接近传感器。它在单个封装内集成了垂直腔表面发射激光器 (VCSEL)、光电二极管和专用集成电路 (ASIC)。VCNL36828P 专为需要双从地址、低功耗、小封装、小窗口尺寸和短距离操作的接近检测应用而开发。此外，考虑到 1.8 V 的典型额定电源电压…
VCNL36828P
VCNL36828P - 采用 VCSEL、低空闲电流、I2C 接口和智能双从属地址的小型封装接近传感器产品描述VCNL36828P 是一款完全集成的接近传感器。它在单个封装内集成了垂直腔表面发射激光器 (VCSEL)、光电二极管和专用集成电路 (ASIC)。VCNL36828P 专为需要双从地址、低功耗、小封…
VCNL40303X01-GS08
VCNL40303X01-GS08接近和环境光传感器在一个小型封装中集成了接近传感器 (PS)、环境光传感器 (ALS) 和大功率IRED。电话咨询：86-755-83294757
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