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SemiQ SiC MOSFET 模块在高温下具有低导通电阻和出色的开关性能，从而简化了电力电子系统的散热设计。SiC MOSFET 模块工作时开关损耗为零，可显著提高效率并减少散热，从而实现更小的散热器。

GCMX080B120S1-E1产品属性：

FET 类型： N 通道  

技术： SiCFET（碳化硅）  

漏源电压（Vdss）： 1200 V  

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 30A（Tc）  

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 20V  

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 @ 20A，20V  

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V @ 10mA  

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 58 nC @ 20 V  

Vgs（最大值）： +25V，-10V  

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1336 pF @ 1000 V   

功率耗散（最大值）： 142W（Tc）  

工作温度： -55°C ~ 175°C（TJ）  

安装类型： 底座安装  

供应商器件封装： SOT-227  

封装/外壳： SOT-227-4，miniBLOC

应用

光伏逆变器

电池充电器

服务器电源

储能系统

• 1.平台上看到的库存、价格准确吗？

  答：所有上架的在线商品均可在线即可下单，但也考虑到现货库存流动性比较大，目前还无法做到100%的精准。如有异常，您可以在线联系我公司并给出对应的 解决方案。

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  答：我们的自营商品均采自合作的国内外原厂或授权代理商，来源均可追溯，确保原装正品。

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  答：目前我们自营代理的品牌包含TI，ST，ADI，NXP，LATTICE，CYPRESS，INFINEON，XILINX等一线品牌，其他渠道均为原厂及代理渠道。如有需要，我们可以针对具体品牌型号来沟通确认。

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  答：可以通过网站上询价，也可以通过电话以及邮箱咨询。

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  答：大部分商品信息中都有标注货期，您可根据货期估计商品的发货时间，具体到货时间根据商品具体所在的仓库、您所选择的物流方式而定。

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  答：可以为个人用户开具普通发票，也可以为企业用户开具增值税专用发票。