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产品分类

AI 处理器

AI 加速器

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商品型号:GCMS040A120S1-E1

商品名称:GCMS040A120S1-E1

品牌:SemiQ

年份:24+

封装:SOT-227

货期:全新原装

库存数量:1000

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技术参数

制造商
SemiQ
型号
GCMS040A120S1-E1
封装
SOT-227
描述
1200V 40 mΩ SiC MOSFET 底座安装 SOT-227

产品描述

GCMS040A120S1-E1 1200V SiC MOSFET模块在高温下具有低导通电阻和出色的开关性能,简化了电力电子系统的热设计。SemiQ SiC MOSFET模块以零开关损耗运行,可显著提高效率并减少散热,从而允许更小的散热器。


优势

高开关频率工作时出色的功率转换效率

低开关损耗和低EMI噪声

非常坚固且易于安装

直接安装到散热器上(隔离封装)

低结至外壳热阻

由于VF的正温度系数,易于并联

符合RoHS标准


应用

光伏逆变器

航空航天致动器

服务器电源

高压交流/DC转换器


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型号

品牌

封装

数量

描述

BSM600D12P4G103

ROHM

Module

1000

1200V, 567A, 内置半桥沟槽MOS的全SiC功率模块

NXH004P120M3F2PNG

ON

PIM-36

1000

SiC M3 MOSFET 模块、1200 V、2 Pack半桥拓扑、F2封装,带Si3N4 DBC

NXH010P90MNF1PG

ON

Module

1000

10 mΩ SiC M2 MOSFET,900 V,2-PACK半桥拓扑, F1封装

NXH010P120M3F1PG

ON

PIM-18

1000

10 mohm SiC M3S MOSFET 模块,1200 V,2-PACK半桥拓扑,F1封装

NXH008P120M3F1PG

ON

PIM-18

1000

8 mΩ SiC M3S MOSFET 模块,1200 V,2-PACK半桥拓扑,F1封装

NXH008P120M3F1PTG

ON

PIM-18

1000

8 mΩ SiC M3S MOSFET 模块,1200 V,2-PACK半桥拓扑,F1封装

MSCSM120X10CTYZBNMG

Microchip

Module

1000

1200V、HPD、三相桥 + 驱动全选项混合动力驱动 mSiC™ MOSFET 模块

NXH040F120MNF1PG

ON

PIM-22

3000

碳化硅 (SiC) 模块 - 1200V,40mohm,SiC MOSFET 模块

MSC40SM120JCU2

Microchip

SOT-227

1000

SiC MOSFET 模块 N 通道 1200 V 55A(Tc) 245W(Tc) SOT-227(ISOTOP®)

MSCSM120AM31TBL1NG

Microchip

Module

1000

SiC MOSFET 模块 1200V 79A 310W 底座安装

常见问题

  • 1.平台上看到的库存、价格准确吗?

    答:所有上架的在线商品均可在线即可下单,但也考虑到现货库存流动性比较大,目前还无法做到100%的精准。如有异常,您可以在线联系我公司并给出对应的 解决方案。

  • 2.公司商品都是原装正品吗?

    答:我们的自营商品均采自合作的国内外原厂或授权代理商,来源均可追溯,确保原装正品。

  • 3.可以提供原厂或代理的资质证明吗?

    答:目前我们自营代理的品牌包含TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX等一线品牌,其他渠道均为原厂及代理渠道。如有需要,我们可以针对具体品牌型号来沟通确认。

  • 4.我可以通过公司网站进行询价吗?

    答:可以通过网站上询价,也可以通过电话以及邮箱咨询。

  • 5.下单后什么时候能发货?多久能到?

    答:大部分商品信息中都有标注货期,您可根据货期估计商品的发货时间,具体到货时间根据商品具体所在的仓库、您所选择的物流方式而定。

  • 6.公司能开发票吗?

    答:可以为个人用户开具普通发票,也可以为企业用户开具增值税专用发票。

SemiQ

SemiQ

SemiQ 设计、开发和制造碳化硅 (SiC) 功率半导体以及 150mm SiC 外延晶片。SiC 二极管和 MOSFET 提供分立和模块以及裸芯片和晶片形式。SemiQ 还提供电源转换应用方面的专业知识,其中包括子系统设计和半定制模块。SemiQ 服务于以下终端市场:电动汽车充电器和充电站、功率…

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