NCV51705MNTWG - 单通道 6A 高速、低侧 SiC MOSFET 栅极驱动器
产品概览
NCV51705MNTWG 主要用于驱动 SiC MOSFET 晶体管。为了实现尽可能低的传导损耗,该驱动器能够向 SiC MOSFET 器件提供最大允许栅极电压。通过在导通和关断期间提供高峰值电流,开关损耗也降到了最低。
NCV51705 - 低端开关配置:
主要特点
- 高峰值输出电流,采用分路输出级,允许独立的导通/关断调节;
源能力:6 A
灌电流能力:6 A
- 扩展的正向额定电压可在导通期间实现高效的 SiC MOSFET 操作
- 可调板载稳压充电泵
- 用于快速关断的负电压驱动
- 内置负充电泵
- 用于数字振荡器电源的可接入 5 V 基准/偏压轨
- 可调欠压锁定
- 去饱和功能
- 小型、低寄生电感 QFN24 封装,带可湿性侧翼
典型应用
- 驱动用于汽车应用的 SiC MOSFET
- 汽车逆变器、转换器和电机驱动器
- PFC、AC 至 DC 和 DC 至 DC 转换器
型号
品牌
封装
数量
描述
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UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于独特的 “级联 ”电路配置,其中一个常开 SiC JFET 与一个 Si MOSFET 共同封装,从而产生一个常闭 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性使其成为 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超级结器件的真正 “直接替代品”。该器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于独特的 “级联 ”电路配置,其中一个常开 SiC JFET 与一个 Si MOSFET 共同封装,从而产生一个常闭 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性使其成为 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超级结器件的真正 “直接替代品”。该器件采用 TO24…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于独特的 “级联 ”电路配置,其中一个常开 SiC JFET 与一个 Si MOSFET 共同封装,从而产生一个常闭 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超级结器件。该器件采用 T0247-3 封装,具有超…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用级联优化 MOSFET,是目前市场上唯一的标准栅极驱动 SiC 器件。该器件采用 4 端子 T0247- 封装,具有极快的开关速度和类似额定值器件中最佳的反向恢复特性。这些器件非常适合电感负载开关和任何需要标准栅极驱动的应用。UF3…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于独特的 “级联 ”电路配置,其中一个常开 SiC JFET 与一个 Si MOSFET 共同封装,从而产生一个常闭 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性使其成为 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超结器件的真正 “直接替代品”。该器件采用 DPAK-3L…NVH4L050N170M1
NVH4L050N170M1:1700V、45A、53mohm、碳化硅 (SiC) N通道 MOSFET 晶体管,TO-247-4型号:NVH4L050N170M1封装:TO-247-4类型:碳化硅(SiC)MOSFET 晶体管NVH4L050N170M1 规格参数:FET 类型:N 通道技术:SiC(碳化硅结晶体管)漏源电压(Vdss):1700 V25C 时电流 - 连…电话咨询:86-755-83294757
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