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深圳市明佳达电子有限公司
型号

VSC7427XJG-02 VSC7425XJG-02 88E6190-A0-TLA2C000

服务电话:86-755-83294757

产品分类

集成电路（IC）

以太网 高带宽总线开关 差动放大器 模拟交叉点开关 HDMI发送器 激光驱动器 模拟开关 IC 超声波接收器 多路复用器和解复用器 视频处理器 视频编码器 接口 - 串行数字接口 (SDI) IC AI 芯片 接口 - 重定时器 跨阻放大器 CXL 近内存加速器和内存扩展控制器 模拟乘法器 RS-422/RS-485 接口 IC 隔离式CAN收发器 仪表放大器 PCI Express 交换机 汽车系统芯片 安全与认证IC 均衡器/驱动器/中继器

物联网/IGBT模组

2G模组 4G模组 5G模组 物联网模组 新能源模组 车规级模组 智能模组 AR/VR 蜂窝物联网模块 卫星通信模块 GNSS 模组 LPWA 模组 物联网芯片

滤波器

带阻滤波器 低通滤波器 带通滤波器 SAW滤波器 BAW滤波器 Wi-Fi 滤波器 2.4GHz Wi-Fi 带通滤波器 有源滤波器​ RF 滤波器 高通滤波器 5GHz Wi-Fi 带通滤波器 6GHz Wi-Fi 带通滤波器

无线连接

Wi-Fi 6 蓝牙IC 蓝牙5.1 蓝牙5.0 蓝牙5.2 近场通信（NFC） WiFi蓝牙 Wi-Fi 芯片 超宽带 UWB IC GNSS 接收器 Wi-Fi 4 WiFi 模块 蓝牙低功耗 Wi-Fi 5 Wi-Fi 7 无线通信模块 无线网卡芯片 蓝牙模块 WiFi 无线模块 蓝牙音频SoC

AI 处理器

分立半导体

晶体管 - FET，MOSFET - 单个 碳化硅（SiC）JFET 硅二极管 电源模块 射频晶体管 功率 MOSFET 模块 碳化硅（SIC）FET 模块 碳化硅（SIC）FET P 沟道 MOSFET 晶体管 - 射频 FET，MOSFET MOSFET 模块 晶闸管 二极管阵列模块 MOSFET 晶体管 N 沟道 MOSFET IGBT 晶体管 二极管与整流器 肖特基二极管与整流器 单齐纳二极管 双极晶体管阵列 功率驱动器模块 二极管 - 整流器 - 单 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 晶体管 - IGBT - 模块

电源管理

氮化镓 (GaN) IC 线性稳压器LDO AC-DC控制器和稳压器 DC-DC电源产品 电压基准 电池管理 以太网供电（PoE）控制器

连接器

压接线连接器 近栈连接器 ExtremePort Swift连接器 Multi-Trak™ 连接器 VITA 67.3 连接器 SpaceVPX VITA 78连接器 ExtremePort Z-Link 连接器 Displayport连接器 磁性插孔连接器 SAS/PCIe 5.0 连接器 SAS/PCIe 4.0 连接器 Mini USB连接器 SFP112G连接器 MiniSAS HD连接器 OSFP-XD连接器 DSFP连接器 CXP连接器 QSFP连接器 OSFP连接器 SFP连接器 CFP2连接器 Mini Cool Edge IO 连接器 SlimSAS™ 连接器 Mini-SAS 高密度连接器

传感器

磁阻传感器 ​角度传感器 霍尔效应开关 电感式传感器 霍尔效应锁存器和开关 生物传感器 飞行时间传感器 传感器信号调节器 光学传感器 流量传感器 板上安装湿度传感器 生物识别传感器 速度传感器 湿度传感器 霍尔效应电流传感器​ 超声波传感器 光学传感器，光电二极管 湿度、湿敏传感器 ​光学探测器和传感器 - 红外探测器 板上安装温度传感器 气体传感器 位置传感器 工业毫米波雷达传感器 汽车毫米波雷达传感器

存储器

NOR 闪存 非易失性存储器 随机存取存储器RAM 静态随机存取存储器SRAM 同步动态随机存取内存SDRAM 固态硬盘控制器 AI 存储器 F-RAM LPDDR5 uMCP EEPROM 固态硬盘 - SSD 标准串行EEPROM 汽车级串行EEPROM eMMC ​伪静态随机存储器(PSRAM) 可擦除可编程ROM NAND 闪存 通用闪存存储器 - UFS 动态随机存取存储器DRAM 存储器 - 模块

AI 加速器

NVMe 控制器
首页 /集成电路（IC）/功率器件/GaN HEMT – 氮化镓晶体管
图片仅供参考，请参阅产品规格
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商品型号：BM3G015MUV-LBE2

商品名称：氮化镓晶体管

品牌：ROHM

年份：24+

封装：VQFN-46

货期：全新原装

库存数量：1000 件

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公司名称：

技术参数

制造商
ROHM
型号
BM3G015MUV-LBE2
封装
VQFN-46
描述
Nano Cap™，EcoGaN™，650V 150mΩ 2MHz，GaN HEMT 功率级 IC

产品描述

BM3G015MUV-LBE2 Nano Cap™ 650V GaN HEMT功率级IC，非常适用于要求高功率密度和高效率的各种电子系统。通过将650V增强型GaN HEMT和Si驱动器集成于ROHM自有封装，与以往的分立解决方案相比，由PCB布线和引线键合引起的寄生电感大大降低，可实现高达150V/ns的开关速度。另外，其栅极驱动强度可调节，这非常有助于降低EMI。该产品还内置各种保护功能和其他附加功能，可优化成本和PCB尺寸。该IC的设计旨在通用于现有的主要控制器，因此也可以替代SJ MOSFET等以往的分立功率开关。


特点： 

Nano Cap™ 集成输出可选 5V LDO

长期支持工业应用的产品

VDD 引脚电压工作范围宽

IN 引脚电压工作范围宽

低 VDD 静态和工作电流

低传播延迟

高 dv/dt 抗扰度

可调栅极驱动强度

电源良好信号输出

VDD UVLO 保护

热关断保护


应用：

◼ 工业设备、高功率密度、高效率要求或桥式拓扑的电源，如图腾柱 PFC、LLC 电源、适配器等。

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型号

品牌

封装

数量

描述

IGLD65R080D2

INFINEON

PG-LSON-8

3000

650 V G5 GaN HEMT – 氮化镓晶体管

IGC033S10S1

INFINEON

PG-TSON-6

3000

GaN HEMT – 氮化镓晶体管 ​100 V G3，2.4 mΩ

IGC033S101

INFINEON

PG-VSON-6

3000

GaN HEMT – 氮化镓晶体管 100 V G3，2.4 mΩ

IGC025S08S1

INFINEON

PG-TSON-6

3000

GaN HEMT – 氮化镓晶体管 86 A ​80 V G3，1.8 mΩ

IGC019S06S1

INFINEON

PG-TSON-6

3000

GaN HEMT – 氮化镓晶体管 99 A ​60 V G3，1.3 mΩ

IGC090S20S1

INFINEON

PG-TSON-6

3000

GaN HEMT – 氮化镓晶体管 43 A ​200 V G3，6.7 mΩ

IGC037S12S1

INFINEON

PG-TSON-6

3000

GaN HEMT – 氮化镓晶体管 71 A ​120 V G3，2.7mΩ

IGB110S10S1

INFINEON

PG-TSON-4

3000

GaN HEMT – 氮化镓晶体管 100 V G3，PQFN 3x3,8 mΩ

IGB110S101

INFINEON

PG-VSON-4

3000

GaN HEMT – 氮化镓晶体管 100 V G3，PQFN 3x3,8 mΩ

IGB070S10S1

INFINEON

PG-TSON-4

3000

GaN HEMT – 氮化镓晶体管 100 V G3，PQFN 3x3，5 mΩ

常见问题

  • 1.平台上看到的库存、价格准确吗？

    答：所有上架的在线商品均可在线即可下单，但也考虑到现货库存流动性比较大，目前还无法做到100%的精准。如有异常，您可以在线联系我公司并给出对应的 解决方案。

  • 2.公司商品都是原装正品吗？

    答：我们的自营商品均采自合作的国内外原厂或授权代理商，来源均可追溯，确保原装正品。

  • 3.可以提供原厂或代理的资质证明吗？

    答：目前我们自营代理的品牌包含TI，ST，ADI，NXP，LATTICE，CYPRESS，INFINEON，XILINX等一线品牌，其他渠道均为原厂及代理渠道。如有需要，我们可以针对具体品牌型号来沟通确认。

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    答：可以通过网站上询价，也可以通过电话以及邮箱咨询。

  • 5.下单后什么时候能发货？多久能到？

    答：大部分商品信息中都有标注货期，您可根据货期估计商品的发货时间，具体到货时间根据商品具体所在的仓库、您所选择的物流方式而定。

  • 6.公司能开发票吗？

    答：可以为个人用户开具普通发票，也可以为企业用户开具增值税专用发票。

ROHM

ROHM

罗姆(ROHM)株式会社是全球知名的半导体厂商之一，总部所在地设在日本京都市，ROHM设计和制造半导体、集成电路以及其它电子元器件。这些元件在快速变化、不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场均占有一席之地。 一些最具创新意义的设备和装置都采用了 ROHM 产品。

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