CY15B116QSN-108BKXI - 高性能 16Mb 四路 SPI 串行铁电随机存取存储器 (F-RAM) IC
产品概览
CY15B116QSN-108BKXI 是一款采用先进铁电工艺的高性能 16-Mb 非易失性存储器。铁电随机存取存储器或 F-RAM 是非易失性存储器,其读写功能与 RAM 相似。存储器阵列的逻辑组织方式为 2,097,152 × 8 位,可使用行业标准串行外设接口 (SPI) 总线进行访问。
主要特点
- 16-Mb 铁电随机存取存储器 (F-RAM) 逻辑结构为 2048K x 8
- SPI 时钟频率
- 高达 108 MHz 频率的 SPI 单数据速率 (SDR)
- 高达 46 MHz 频率的 SPI 双数据速率 (DDR)
- 用于内存读/写的就地执行(XIP)
- 写保护、数据安全和数据完整性
- 使用写保护 (WP) 引脚进行硬件保护
- 专用的 256 字节特殊扇区 F-RAM
- 高速时功耗低
- 108 MHz SPI SDR 的工作电流为 14 mA(典型值
- 108 MHz QSPI SDR 的 22 mA(典型值)有效电流
- 46 MHz QSPI DDR 的 16.5 mA(典型值)有效电流
- 115 µA(典型值)待机电流
- 1.1 µA(典型值)深度掉电模式电流
- 0.1 µA(典型值) 休眠模式电流
- 低压运行 - VDD = 1.8 V 至 3.6 V
- 工作温度:-40°C 至 +85°C
应用
汽车 48 V 电池管理系统 (BMS)
可编程逻辑控制器 (PLC)
型号
品牌
封装
数量
描述
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