LMG3425R050RQZR GaN FET 集成了驱动器和保护功能，面向开关模式功率转换器，使设计人员能够将功率密度和效率提高到新的水平。
特点
通过 JEDEC JEP180 硬开关拓扑认证
600V 硅基氮化镓场效应晶体管，集成栅极驱动器
集成高精度栅极偏置电压
200V/ns FET 截止
3.6MHz 开关频率
20V/ns 至 150V/ns 压摆率，用于优化开关性能和降低 EMI
工作电压为 7.5V 至 18V
强大的保护功能
逐周期过流和锁存短路保护，响应时间 < 100ns
硬开关时可承受 720V 浪涌
内部过热自我保护和 UVLO 监控
先进的电源管理
数字温度 PWM 输出
应用
开关模式电源转换器
商用网络和服务器 PSU
商用电信整流器
太阳能逆变器和工业电机驱动器
不间断电源
型号
品牌
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描述
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