商品名称:射频微控制器 - MCU
品牌:ON
年份:24+
封装:WLCSP-40
货期:全新原装
库存数量:3000 件
NCH-RSL15-512-101WC40-ABG是一款专为智能互联设备而设计的蓝牙5.2安全无线MCU。
参数:NCH-RSL15-512-101WC40-ABG
核心:ARM Cortex M33
程序存储器大小:512 kB
数据 RAM 大小:80 kB
最大时钟频率:48 MHz
ADC分辨率:12 bit
电源电压-最小:1.4 V
电源电压-最大:3.6 V
最小工作温度:- 40°C
最大工作温度:+ 85°C
封装 / 箱体:WLCSP-40
安装风格:SMD/SMT
封装:Reel
封装:Cut Tape
商标:onsemi
数据 Ram 类型:SRAM
接口类型:I2C
湿度敏感性:Yes
工作电源电压:1.4 V to 3.6 V
产品类型:RF Microcontrollers - MCU
程序存储器类型:Flash
系列:RSL15
说明
RSL15是一款基于Arm® Cortex®−M33处理器的超低功耗安全低功耗蓝牙5.2无线MCU,专为工业和医疗应用中的智能互联设备而设计。RSL15具有内置电源管理、宽广的电源电压范围、灵活的GPIO和时钟方案以及广泛的外设集,为高性能和超低功耗应用提供了最大程度的设计灵活性。 RSL15包含80kB RAM,并有284kB或512kB两种闪存选择。
应用
• 工业自动化和传感
• 医疗互联传感器
• 可穿戴设备
• 资产追踪
• 电子标签和门禁控制
• 电子标牌
• 数据记录器
• 智能电器
• 能量收集开关
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UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于独特的 “级联 ”电路配置,其中一个常开 SiC JFET 与一个 Si MOSFET 共同封装,从而产生一个常闭 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性使其成为 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超级结器件的真正 “直接替代品”。该器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于独特的 “级联 ”电路配置,其中一个常开 SiC JFET 与一个 Si MOSFET 共同封装,从而产生一个常闭 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性使其成为 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超级结器件的真正 “直接替代品”。该器件采用 TO24…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于独特的 “级联 ”电路配置,其中一个常开 SiC JFET 与一个 Si MOSFET 共同封装,从而产生一个常闭 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超级结器件。该器件采用 T0247-3 封装,具有超…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用级联优化 MOSFET,是目前市场上唯一的标准栅极驱动 SiC 器件。该器件采用 4 端子 T0247- 封装,具有极快的开关速度和类似额定值器件中最佳的反向恢复特性。这些器件非常适合电感负载开关和任何需要标准栅极驱动的应用。UF3…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于独特的 “级联 ”电路配置,其中一个常开 SiC JFET 与一个 Si MOSFET 共同封装,从而产生一个常闭 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性使其成为 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超结器件的真正 “直接替代品”。该器件采用 DPAK-3L…NVH4L050N170M1
NVH4L050N170M1:1700V、45A、53mohm、碳化硅 (SiC) N通道 MOSFET 晶体管,TO-247-4型号:NVH4L050N170M1封装:TO-247-4类型:碳化硅(SiC)MOSFET 晶体管NVH4L050N170M1 规格参数:FET 类型:N 通道技术:SiC(碳化硅结晶体管)漏源电压(Vdss):1700 V25C 时电流 - 连…电话咨询:86-755-83294757
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